CSD97376Q4M 30 V 20 A SON 3.5 x 4.5 mm 同步降压 NexFET? 功率级数据手册

CSD97376Q4M NexFET? 功率级是一种高度优化的设计，适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动 IC 和 NexFET 技术，以完成功率级开关功能。该驱动 IC 具有内置可选二极管仿真功能，可实现 DCM作以提高轻负载效率。此外，该驱动 IC 支持 ULQ 模式，可实现 Windows? 8 的连接待机。当 PWM 输入处于三态时，静态电流降低至 130 μA，并立即响应。当 SKIP# 保持在三态时，电流降低至 8 μA（通常需要 20 μs 才能恢复开关）。这种组合在小型 3.5 mm × 4.5 mm 外形封装中产生了大电流、高效率高速开关器件。此外，PCB封装也经过优化，有助于缩短设计时间并简化整个系统设计的完成。
*附件：csd97376q4m.pdf

特性

• 15 A 时系统效率为 90%
• 最大额定连续电流 20 A，峰值 45 A
• 高频工作（高达 2 MHz）
• 高密度 SON 3.5 mm x 4.5 mm 封装
• 超低电感封装
• 系统优化的PCB封装
• 超低静态 （ULQ） 电流模式
• 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
• 带 FCCM 的二极管仿真模式
• 输入电压高达 24 V
• 三态 PWM 输入
• 集成自举二极管
• 击穿保护
• 符合 RoHS 标准 – 无铅端子电镀
• 无卤素

参数

方框图

?1. 产品概述?
CSD97376Q4M是一款高度集成的同步降压功率级模块，结合了驱动IC和NexFET技术，适用于高功率密度应用。其核心特点包括：

• ?高效能?：15A负载下系统效率达90%，支持最高24V输入电压及2MHz开关频率。
• ?紧凑设计?：采用3.5mm×4.5mm SON封装，优化PCB布局以降低寄生电感。
• ?智能模式?：支持二极管仿真模式（DCM）和强制连续导通模式（FCCM），轻载时可通过SKIP#引脚启用超低静态电流（ULQ）模式（最低8μA）。

?2. 关键特性?

• ?电气性能?：连续电流20A（峰值45A），集成自举二极管，兼容3.3V/5V PWM信号。
• ?保护功能?：欠压锁定（UVLO）、三态PWM输入防直通保护。
• ?热管理?：典型热阻2.5°C/W（结至板），支持高环境温度运行（-40°C至150°C）。

?3. 应用场景?

• 超极本/笔记本DC-DC转换器
• 多相Vcore和DDR电源方案
• 网络/电信设备的负载点（PoL）电源

?4. 设计支持?

• ?功率损耗曲线?：提供12V输入、1.8V输出条件下的损耗数据（如10A负载时典型损耗2.1W）。
• ? 安全操作区（SOA） ?：基于PCB布局（6层1oz铜）的温升与气流要求图表。
• ?标准化调整曲线?：支持根据开关频率、电感值等参数计算系统损耗和温度补偿。

?5. 封装与生产信息?

• ?封装类型?：8引脚VSON-CLIP（DPC），卷带包装（2500片/卷）。
• ?环保认证?：符合RoHS标准，无卤素。

?6. 文档与支持?

• 包含详细引脚定义、电气特性表及典型性能曲线。
• 提供PCB布局建议（如输入电容就近放置以降低噪声）。

该文档为工程师提供了从选型到系统设计的全面参考，强调通过优化布局实现高效散热和电气性能。