CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET，单 SON 5mm x 6mm，2.3mOhm技术手册

这款 40 V、1.9 mΩ、SON 5 × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。
*附件：csd18511q5a.pdf

特性

• 低 RDS（开启）
• 低热阻
• 雪崩评级
• 逻辑电平
• 无铅端子电镀
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• SON 5 mm × 6 mm 塑料封装

参数

方框图

1. 产品特性

• ?低导通电阻?：RDS(on)在VGS=10V时为1.9mΩ，有助于减少功率损耗。
• ?低热阻?：结到壳热阻RθJC为1.2°C/W，有助于散热。
• ?雪崩能力?：支持雪崩模式工作，具有较高的耐雪崩能量。
• ?逻辑电平?：适合逻辑电平驱动，简化电路设计。
• ?环保特性?：无铅端子镀层，符合RoHS标准，无卤素。

2. 应用领域

• ?DC-DC转换?：适用于各种DC-DC转换器，提高能量转换效率。
• ?次级侧同步整流?：在DC-DC转换器中作为次级侧同步整流器使用。
• ?电池电机控制?：适用于电池供电的电机控制应用。

3. 产品描述

CSD18511Q5A是一款40V、1.9mΩ的N沟道NexFET?功率MOSFET，采用5mm×6mm的SON塑料封装。该器件专为最小化功率转换应用中的损耗而设计，具有低导通电阻、低热阻和雪崩能力等特性。

4. 规格参数

4.1 电气特性

• ?漏源电压?：VDS最大值为40V。
• ?栅源阈值电压?：VGS(th)的典型值为1.8V。
• ?漏源导通电阻?：RDS(on)在VGS=4.5V时为2.7mΩ，在VGS=10V时为1.9mΩ。
• ?栅极电荷?：Qg（总栅极电荷）在VGS=10V时为63nC。

4.2 热信息

• ?结到壳热阻?：RθJC为1.2°C/W。
• ?结到环境热阻?：RθJA为50°C/W（在1英寸?、2盎司的铜垫上）。

5. 典型MOSFET特性

• ?瞬态热阻抗?：展示了器件在脉冲条件下的热阻抗特性。
• ?饱和特性?：展示了在不同栅源电压下的漏源电流与漏源电压关系。
• ?转移特性?：展示了栅源电压与漏极电流的关系。
• ?栅极电荷?：展示了栅极电荷与栅源电压的关系。
• ?电容特性?：展示了输入电容、输出电容和反向传输电容与栅源电压的关系。

6. 设备与文档支持

• ?文档更新通知?：用户可以通过TI官网的产品文件夹接收文档更新通知。
• ?社区资源?：提供了TI E2E?在线社区的链接，供工程师交流问题和解决方案。
• ?静电放电警示?：提醒用户注意静电放电保护，以防损坏MOS栅极。

7. 包装与订购信息

• ?封装类型?：5mm×6mm的SON塑料封装。
• ?订购信息?：提供了器件的订购编号、封装类型、引脚数、包装数量等信息。