退火工艺是晶圆制造中的关键步骤，通过控制加热和冷却过程，退火能够缓解应力、修复晶格缺陷、激活掺杂原子....
在无线通信中，接收器接收到的信号非常小，以至于系统中只能容忍有限的噪声。因此，对于电路设计人员来说，....
集成电路传统封装技术主要依据材料与管脚形态划分：材料上采用金属、塑料或陶瓷管壳实现基础封装；管脚结构....
键合技术是通过温度、压力等外部条件调控材料表面分子间作用力或化学键，实现不同材料（如硅-硅、硅-玻璃....
在TSV制造技术中，既包含TSV制造技术中通孔刻蚀与绝缘层的相关内容。
在芯片制造的最后环节，裸片（Die）需要穿上“防护铠甲”——既要抵抗物理损伤和化学腐蚀，又要连接外部....
Gerber 文件是用于电子设计自动化(EDA)中，尤其是在印刷电路板(PCB)设计和制造过程中，传....
三维集成电路制造中，对准技术是确保多层芯片键合精度、实现高密度TSV与金属凸点正确互联的核心技术，直....
相较于传统CMOS工艺，TSV需应对高深宽比结构带来的技术挑战，从激光或深层离子反应刻蚀形成盲孔开始....
想象一下，你要为比沙粒还小的芯片建造“房屋”——既要保护其脆弱电路，又要连接外部世界，还要解决散热、....
在半导体三维集成（3D IC）技术中，硅通孔（TSV）是实现芯片垂直堆叠的核心，但受深宽比限制，传统....
绝缘体上硅（SOI）技术作为硅基集成电路领域的重要分支，其核心特征在于通过埋氧层（BOX）实现有源层....
锁相放大器是一种用于提取微弱信号的高精度电子仪器，能够在强噪声背景下检测出微伏（μV）甚至纳伏（nV....
在智能终端轻薄化浪潮中，集成电路封装正面临"尺寸缩减"与"管脚扩容"的双重挤压——处理器芯片为处理海....
在多芯片封装趋势下，一个封装内集成的高性能芯片日益增多，热管理难题愈发凸显。空气冷却应对此类系统力不....
在柔性混合电子（FHE）系统中，柔性实现的难点在于异质材料的协同工作。硅基芯片、金属互连、聚合物基板....
在MEMS中，玻璃因具有良好的绝缘性、透光性、化学稳定性及可键合性（如与硅阳极键合），常被用作衬底、....
CMP是半导体制造中关键的平坦化工艺，它通过机械磨削和化学腐蚀相结合的方式，去除材料以实现平坦化。然....
Wafer Acceptance Test (WAT) 是晶圆制造中确保产品质量和可靠性的关键步骤。....
1997年，富士通公司研发出一种名为芯片上引线（Lead On Chip，LOC）的封装形式，称作L....
铝丝键合常借助超声楔焊技术，通过超声能量实现铝丝与焊盘的直接键合。由于键合所用劈刀工具头为楔形，使得....
在集成MEMS芯片的环境温度测量领域，热阻、热电堆和PN结原理是三种主流技术。热阻是利用热敏电阻，如....
这一篇文章介绍几种芯片加工工艺,在Fab里常见的加工工艺有四种类型,分别是图形化技术（光刻）?掺杂技....
在电子器件封装过程中，会出现多种类型的封装缺陷，主要涵盖引线变形、底座偏移、翘曲、芯片破裂、分层、空....
LED发光二极管，一种半导体元件，当向其中注入电流时会发光。
ACC（Automatic Current Control）是恒电流驱动，通过电流采样反馈为电流驱动....
在集成电路生产过程中，晶圆背面二氧化硅边缘腐蚀现象是一个常见但复杂的问题。每个环节都有可能成为晶圆背....
在电子封装领域，各类材料因特性与应用场景不同，失效模式和分析检测方法也各有差异。
在指甲盖大小的芯片上，数百亿晶体管需要通过比头发丝细千倍的金属线连接。当制程进入130纳米节点时，传....
在指甲盖大小的硅片上建造包含数百亿晶体管的“纳米城市”，需要极其精密的工程规划。分层制造工艺如同建造....
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