在纳米尺度集成电路制造领域，快速热处理（RTP）技术已成为实现器件性能突破与工艺优化的核心工具。相较....
本文介绍了超声波的T-SAM与C-SAM两种模式的区别。
定向自组装光刻技术通过材料科学与自组装工艺的深度融合，正在重构纳米制造的工艺组成。主要内容包含图形结....
本文介绍了先进集成电路制造多重曝光中的套刻精度要求。
本文介绍了当半导体技术从FinFET转向GAA（Gate-All-Around）时工艺面临的影响。
在集成电路封装技术的演进历程中，球栅阵列封装（Ball Grid Array，BGA）凭借卓越性能与....
但当芯片做到22纳米时，工程师遇到了大麻烦——用光刻机画接触孔时，稍有一点偏差就会导致芯片报废。 自....
从早期的平面 CMOS 工艺到先进的 FinFET，p 型衬底在集成电路设计中持续被广泛采用。为什么....
前端设计（Front-end Design）：聚焦于电路的逻辑功能实现。本质上是在“纸上”设计电路，....
集成电路产业通常被分为芯片设计、芯片制造、封装测试三大领域。其中，芯片制造是集成电路产业门槛最高的行....
前端设计是数字芯片开发的初步阶段，其核心目标是从功能规格出发，最终获得门级网表（Netlist）。这....
在现代芯片中，数十亿晶体管通过金属互连线连接成复杂电路。随着制程进入纳米级，一个看似“隐形”的问题逐....
十九世纪末，科学家首次观察到轴对称磁场对阴极射线示波器中电子束产生的聚焦作用，这种效应与光学透镜对可....
化学机械抛光液是化学机械抛光（CMP）工艺中关键的功能性耗材，其本质是一个多组分的液体复合体系，在抛....
在指甲盖大小的芯片上，数十亿晶体管需要通过比头发丝细千倍的金属线连接。随着制程进入纳米级，一个看似微....
在现代电子工业领域，依据使用环境、性能参数及可靠性标准，电子器件可以被系统划分为商业级、工业级、汽车....
我们看下一个先进封装的关键概念——晶圆级封装（Wafer Level Package，WLP）。
简单来说：晶向就是晶体内部原子沿某种方向排列的“路径”。晶向通常用方括号 [hkl] 表示方向，用圆....
CVD 技术是一种在真空环境中通过衬底表面化学反应来进行薄膜生长的过程，较短的工艺时间以及所制备薄膜....
光纤激光器是一种放大介质为光纤的激光器。它是一个需要供电的有源模块(就像电子产品中的有源电子元件)，....
微电子封装技术每15年左右更新迭代一次。1955年起，晶体管外形（TO）封装成为主流，主要用于封装晶....
业界普遍认为，倒装封装是传统封装和先进封装的分界点。
FPGA（Field Programmable Gate Array，现场可编程门阵列），是一种可在....
在半导体芯片中，数十亿晶体管需要通过金属互连线（Interconnect）连接成复杂电路。随着制程进....
直拉硅单晶生长的过程是熔融的多晶硅逐渐结晶生长为固态的单晶硅的过程，没有杂质的本征硅单晶的电阻率很高....
在半导体制造流程中，晶圆在前端工艺阶段需保持一定厚度，以确保其在流片过程中的结构稳定性，避免弯曲变形....
Plating(电镀)是一种电化学过程，通过此过程在基片(wafer)表面沉积金属层。在微电子领域，....
随着极紫外光刻（EUV）技术面临光源功率和掩模缺陷挑战，X射线光刻技术凭借其固有优势，在特定领域正形....
本文介绍了通过LPCVD制备氮化硅低应力膜 氮化硅膜在MEMS中应用十分广泛，可作为支撑层、....
CPU Socket是连接中央处理单元（CPU）与计算机主板之间的关键部件，它充当着传递电信号、电源....
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