激光划片机是利用高能激光束对晶圆等材料进行切割或开槽的精密加工设备，广泛应用于半导体、微电子、光学器....
晶圆经切割后，表面常附着大量由聚合物、光致抗蚀剂及蚀刻杂质等组成的颗粒物，这些物质会对后续工序中芯片....
在5纳米以下的芯片制程中，晶体管栅极介质层的厚度已缩至1纳米以下（约5个原子层）。此时，传统二氧化硅....
所谓塑封，是指将构成电子元器件或集成电路的各部件按规范要求进行合理布置、组装与连接，并通过隔离技术使....
在集成电路制造工艺中，氧化工艺也是很关键的一环。通过在硅晶圆表面形成二氧化硅(SiO?)薄膜，不仅可....
硅晶圆拣选测试作为半导体制造流程中的关键质量控制环节，旨在通过系统性电气检测筛选出功能异常的芯片。该....
引线框架（Lead Frame）是一种金属结构，主要用于半导体芯片的封装中，作用就像桥梁——它连接芯....
在功率半导体制程里，电镀扮演着举足轻重的角色，从芯片前端制程到后端封装，均离不开这一关键工序。目前，....
ISSG(In-Situ Steam Generation，原位水蒸汽生成)是半导体制造中的一种高温....
通过单晶生长工艺获得的单晶硅锭，因硅材质硬脆特性，无法直接用于半导体芯片制造，需经过机械加工、化学处....
晶面和晶向是晶体学中两个核心的概念，它们与硅基集成电路工艺中的晶体结构有密切的关系。
晶圆级扇出封装（FO-WLP）通过环氧树脂模塑料（EMC）扩展芯片有效面积，突破了扇入型封装的I/O....
本文介绍了在射频前端模块（RF-FEM）中使用的集成无源元件（IPD）技术。
打线键合就是将芯片上的电信号从芯片内部“引出来”的关键步骤。我们要用极细的金属线（多为金线、铝线或铜....
自半导体晶体管问世以来，集成电路技术便在摩尔定律的指引下迅猛发展。摩尔定律预言，单位面积上的晶体管数....
在微电子行业飞速发展的背景下，封装技术已成为连接芯片创新与系统应用的核心纽带。其核心价值不仅体现于物....
贴膜是指将一片经过减薄处理的晶圆（Wafer）固定在一层特殊的胶膜上，这层膜通常为蓝色，业内常称为“....
在芯片制程进入纳米时代后，一个看似矛盾的难题浮出水面：如何在不损伤脆弱纳米结构的前提下，彻底清除深孔....
“减薄”，也叫 Back Grinding（BG），是将晶圆（Wafer）背面研磨至目标厚度的工艺步....
干法刻蚀技术作为半导体制造的核心工艺模块，通过等离子体与材料表面的相互作用实现精准刻蚀，其技术特性与....
在芯片制造中，光刻技术在硅片上刻出纳米级的电路图案。然而，当制程进入7纳米以下，传统光刻的分辨率已逼....
湿法刻蚀作为半导体制造领域的元老级技术，其发展历程与集成电路的微型化进程紧密交织。尽管在先进制程中因....
化合物半导体器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通过共价键形成的材料为基础，展现出独特的电学与光学特性。以砷....
本文简单介绍了氧化层制备在芯片制造中的重要作用。
导语薄膜晶体管（TFT）作为平板显示技术的核心驱动元件，通过材料创新与工艺优化，实现了从传统非晶硅向....
芯片中的晶体管（如NMOS和PMOS）需要通过金属线连接才能形成完整电路。 第一层互联 （通常称为M....
氮氧化镓(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一种介于晶态与非晶态之间的化合物。其....
TGV（Through Glass Via）工艺之所以选择在玻璃上打孔，主要是因为玻璃在以下五个方面....
互补金属氧化物半导体（CMOS）技术是现代集成电路设计的核心，它利用了N型和P型MOSFET（金属氧....
集成电路是现代信息技术的基石，而晶体管则是集成电路的基本单元。沿着摩尔定律发展，现代集成电路的集成度....
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