BQ500101 NexFET 功率级数据手册

bq500101 NexFET 功率级是 针对涵盖 WPC v1.2 中等功率规范的无线充电应用进行了优化。这 该器件也可用于固定频率变送器类型的轨电压控制 作为固定和变频类型的线圈驱动器。这种组合会产生一个 3.5 × 4.5 mm 外形的大电流、高效率、高速开关器件 包。此外，PCB 封装经过优化，有助于缩短设计时间并简化 完成整体系统设计。
*附件：bq500101.pdf

特性

• 5 A 时系统效率为 98%
• 最大额定连续电流 10 A，峰值 15 A
• 高频作（高达 600 kHz）
• 高密度 SON 3.5 × 4.5 mm 封装
• 超低电感封装
• 系统优化的PCB封装
• 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
• 输入电压高达 24 V
• 集成自举二极管
• 击穿保护
• 符合 RoHS 标准 – 无铅端子电镀
• 无卤素
• 优化的功率级，包含高效
  栅极驱动器和 FET
• 针对 15W 无线充电发射器设计进行了优化

参数

方框图

?1. 产品概述?

• ?型号?：bq500101，专为无线功率传输优化的NexFET?功率级芯片，符合WPC（Qi）1.2中功率规范。
• ?核心特性?：
  • 高效率（98% @5A）、高电流（连续10A/峰值15A）、高频操作（最高600kHz）。
  • 超小封装（3.5×4.5mm SON），集成低电感封装与优化的PCB布局设计。
  • 兼容3.3V/5V PWM信号，输入电压支持至24V，内置自举二极管和防直通保护。

?2. 应用场景?

• 15W无线充电发射器（兼容Qi 1.2中功率标准）。
• 工业/医疗无线供电系统、私有协议充电器。

?3. 技术细节?

• ?电气参数?：
  • 工作温度范围：-40°C至125°C，输入电压范围4.5V-24V。
  • 典型功率损耗：0.53W（5A输出时，25°C）。
• ?功能模块?：
  • 集成高/低侧MOSFET驱动器，优化开关速度与损耗。
  • 自举电路设计简化高压侧驱动，内置欠压锁定（UVLO）保护。

?4. 设计支持?

• ?典型应用电路?：提供无线充电发射器完整方案，包含电压调节、电流监测及控制器接口（如搭配bq501210）。
• ?布局建议?：
  • 输入电容需紧靠VIN/PGND引脚以降低寄生电感。
  • 开关节点（VSW）布线应短，减少高频噪声。
• ?热管理?：通过GND平面散热，建议使用热过孔阵列并遵循制造工艺规范。

?5. 性能曲线?

• 提供功率损耗、安全工作区（SOA）及归一化曲线，支持用户根据实际条件（如频率、电感值）调整设计。

?6. 封装与订购?

• 封装类型：8引脚VSON-CLIP（DPC），符合RoHS标准。
• 订购型号示例：BQ500101DPCR（卷带包装）。

?文档版本?：SLPS585（2016年3月发布），包含完整规格书、机械图纸及PCB推荐设计。