LM185-1.2QML 微功率基准电压源二极管技术手册

LM185-1.2 是一款微功率 2 端子带隙稳压二极管。经营 在 10μA 至 20mA 电流范围内，它具有极低的动态阻抗和良好的 温度稳定性。片上微调用于提供严格的电压容差。由于 LM185-1.2 带隙基准电压源仅使用晶体管和电阻器，噪声低，长期使用良好 稳定性结果。
*附件：lm185-1.2qml.pdf

LM185-1.2 的精心设计使该器件对电容性具有极强的耐受性 加载，使其易于在几乎任何参考应用程序中使用。宽动态作 范围允许它与各种电源一起使用，并具有出色的调节能力。

LM185-1.2 的功耗极低，可用于微功率电路。 该基准电压源可用于制造便携式仪表、稳压器或通用模拟 电池寿命接近保质期的电路。

此外，宽工作电流使其能够用更紧密的基准电压源替换旧基准电压源 公差部分。

特性

• 工作电流为10μA至20mA
• 1Ω最大动态阻抗（典型值）
• 低温系数
• 辐射合格选项
  • 100 克拉德
  • 低剂量率测试为 10 mrad/s

参数

方框图

?1. 产品概述?
LM185-1.2QML 是一款微功耗2端带隙电压基准二极管，由德州仪器（TI）设计，具有以下核心特性：

• ?工作电流范围?：10μA至20mA
• ?动态阻抗?：典型值1Ω（最大值）
• ?低温漂系数?，辐射耐受选项（100 krad，低剂量率测试10 mrad/s）
• 适用于便携设备、精密模拟电路及电池供电场景，延长电池寿命接近储存寿命。

?2. 关键参数?

• ?反向击穿电压?（VRef）：
  • 10μA时1.223V1.247V，20mA时1.205V1.26V
  • 电流变化下的电压稳定性（ΔVRef/ΔIR）：±1mV（10μA~1mA范围）
• ?正向偏置电压?（VF）：-1.0V~-0.4V（IF=2mA）
• ?温度系数?：≤50 ppm/°C（-55°C至125°C范围内）

?3. 辐射耐受性能?（RLQV后缀型号）

• 通过100 krad(Si)辐射测试，150 krad(Si)过测，参数变化：
  • 反向击穿电压漂移：±3%（10μA/1mA）
  • 动态阻抗变化：±15mV（10μA~1mA电流范围）

?4. 封装与可靠性?

• ?封装类型?：TO-CAN（2引脚）、CFP（10引脚陶瓷扁平封装）
• ?工作温度?：-55°C至+125°C
• ?ESD防护?：需短路引脚或使用导电泡沫存储以防静电损坏。

?5. 典型应用电路?

• ?微功耗基准源?：9V电池供电（IQ≈30μA）
• ?精密电流源?：1μA~1mA可调输出
• ?温度传感器?：0°C~100°C线性输出（1μA/°K）
• ?冷端补偿器?：支持J/T/K/S型热电偶，低至50μA工作电流。

?6. 修订历史?

• 2014年1月更新：新增辐射测试数据及典型漂移曲线。

?7. 订购信息?

• 提供多种军规（QML）及航天级（RLQV）型号，如5962R8759461VXA（TO封装，辐射耐受）。

?附件说明?
文档包含完整电气特性表、连接图、典型性能曲线及封装尺寸图（如TO-CAN的NDU0002A、CFP的NAC0010A）。