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HCPL-3120栅极驱动光电耦合器包含GaAsP LED。 LED光耦合到具有功率输出级的集成电路。它非常适用于驱动功率IGBT和MOSFET,用于电机控制反转应用。输出级的高工作电压范围提供门控器件所需的驱动电压。
所提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定电压高达1200 V / 100 A的IGBT。对于额定值较高的IGBT,HCPL-3120系列可用于驱动分立电源驱动IGBT栅极的阶段。它在VDE 0884中具有VIORM = 630 V峰值的绝缘电压。
金额:¥4.89474
去购买型号:HCPL2530 封装:DIP-8_9.66X6.6MM
品牌:ON 描述:单向光耦 Viso=2500Vrms VF(typ)=1.45V IF=25mA CTR=7~50% DIP8
金额:¥4.61999
去购买型号:HCPL2630SDM 封装:8-SMD,鸥翼型
品牌:ON 描述:6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道光耦合器包含一个 850 nm AlGaAS LED,与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极,允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。内部干扰屏蔽提供出色的共模抑制,通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。
金额:¥5.93535
去购买型号:HCPL0601R2 封装:SOIC8_150MIL
品牌:ON 描述:单向光耦 Viso=3750Vrms VF(typ)=1.75V IF=50mA Vo=7V SOIC8_150MIL
金额:¥3.92941
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