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德州仪器UCC21717-Q1隔离式栅极驱动器技术解析与应用指南

科技观察员 ? 2025-08-18 10:32 ? 次阅读
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Texas Instruments UCC21717-Q1隔离式单通道栅极驱动器设计用于驱动高达1700V SiC MOSFETIGBT。它具有高级集成保护、出色的动态性能和稳健性。UCC21717-Q1具有高达±10A峰值拉电流和灌电流。输入侧与输出侧隔离,采用SiO2 电容式隔离技术,支持高达1.5kVRMS 工作电压、12.8kVPK 浪涌抗扰度(隔离栅寿命超过40年),并具有较低的零件间偏移和150V/ns共模噪声抗扰度(CMTI)。

数据手册:*附件:Texas Instruments UCC21717-Q1隔离式单通道栅极驱动器数据手册.pdf

Texas Instruments UCC21717-Q1具有先进的保护特性,例如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源UVLO,以优化SiC和IGBT的开关特性和稳健性。隔离式模拟转PWM传感器可用于简化温度或电压检测,提高驱动器的多功能性,并简化系统设计工作、减小尺寸和降低成本。

特性

  • 5.7kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 符合汽车应用类AEC-Q100标准
    • 器件温度0级(-40°C至+150°C环境工作温度范围)
    • 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级3A
    • 器件充电器件模型 (CDM) ESD分类等级C6
  • 功能安全质量管理型
    • 可提供帮助进行功能安全系统设计的文档
  • 高达2121Vpk 的SiC MOSFET和IGBT
  • 最大输出驱动电压(V DD -VEE):33V
  • ±10A驱动强度和分割输出
  • 最低CMTI:150V/ns
  • 270ns响应时间快速过流保护
  • 4A内部有源米勒钳位
  • 故障条件下400mA软关断
  • 具有PWM输出的隔离式模拟传感器,用于:
  • 过流报警FLT和RST/EN复位
  • 使用RST/EN禁用器件触发软关断
  • 抑制输入引脚上 < 40ns的瞬态噪声和脉冲
  • RDY上的12V VDD UVLO(具有电源正常指示功能)
  • 输入/输出可耐受高达5 V的过冲/欠冲瞬态电压
  • 130 ns(最大值)传播延迟和30 ns(最大值)脉冲/零件偏移
  • SOIC-16 DW封装,爬电距离和间隙>8mm
  • 工作结温范围:–40°C至150°C

功能框图

1.png

德州仪器UCC21717-Q1隔离式栅极驱动器技术解析与应用指南

一、核心特性概述

UCC21717-Q1是德州仪器推出的汽车级单通道隔离栅极驱动器,专为1700V SiC MOSFET和IGBT设计,具有以下核心优势:

  • ?超高驱动能力?:±10A峰值源/灌电流输出,支持快速开关(1.3MHz带宽)
  • ?先进保护机制?:270ns过流保护响应、400mA软关断、4A有源米勒钳位
  • ?多重隔离保护?:5.7kVRMS强化隔离,150V/ns CMTI抗扰度,40年隔离屏障寿命
  • ?集成传感功能?:隔离式PWM温度/电压传感通道(0.6-4.5V输入范围)
  • ?汽车级认证?:AEC-Q100 Grade 1认证(-40℃至+125℃环境温度)

二、关键技术创新点

1. 智能驱动架构

  • ?混合推挽输出?:并联PMOS与NMOS的混合结构,有效导通电阻低至0.7Ω
  • ?动态响应优化?:开通延迟130ns(最大值),器件间偏斜仅30ns
  • ?双电源兼容?:支持13-33V宽范围输出供电,负压可低至-16V

2. 多重保护系统

保护类型参数指标响应时间
过流保护0.7V阈值 ±5%精度≤270ns
电源监测VDD UVLO 12V/10.7V带滞回5μs滤波
短路钳位OUTH对VDD正向钳位0.9V瞬态响应

3. 隔离传感技术

  • ?AIN-APWM转换?:内置203μA电流源,线性度±1.5%(校准后)
  • ?PWM编码?:400kHz固定频率,0.6V→88%占空比 / 4.5V→10%占空比
  • ?典型应用?:
    • NTC温度检测(精度±1% after校准)
    • DC母线电压监测(需外置分压网络)

三、典型应用设计

1. 电动汽车牵引逆变器方案

  • ?栅极电阻选型?:
    • 计算公式:R_G = (VDD-VEE)/I_peak - (R_OH+R_Gint)
    • 示例:VDD=20V/VEE=-5V时,1Ω电阻可实现6.7A灌电流
  • ?布局要点?:
    • COM引脚必须采用开尔文连接至功率器件发射极
    • 输入/输出侧地平面需物理分隔(建议≥8mm间距)

2. 热管理设计

  • ?功耗计算?:
    • 静态损耗:IVDDQ×VDD ≈ 4mA×20V = 80mW
    • 动态损耗:0.5×Qg×VDD×fsw(50kHz时约505mW)
  • ?散热建议?:θJA=68.3°C/W下,需保证环境温度≤85℃(满负载)

四、设计验证数据

测试项目条件(VDD=20V)典型值最大值
传播延迟CL=10nF90ns130ns
米勒钳位导通延迟VCLMPTH=2V15ns50ns
软关断电流VOUT=8V400mA570mA
APWM线性误差全温度范围±1.5%±3%

五、选型对比建议

  1. ?高压场景优选?:相比UCC21520,21717支持更高隔离电压(5.7kVRMS vs 3kVRMS)
  2. ?SiC专用特性?:集成有源米勒钳位,解决SiC MOSFET低Vth导致的误开通问题
  3. ?功能安全支持?:提供FMEDA报告,适合ASIL-D系统设计
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