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德州仪器UCC21550-Q1双通道栅极驱动器技术解析

科技观察员 ? 2025-08-11 14:36 ? 次阅读
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Texas Instruments UCC21550/UCC21550-Q1双通道栅极驱动器是隔离型驱动器,具有可编程死区时间和-40°C至150°C的宽温度范围。这些栅极驱动器设计有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流,可驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。UCC21550/UCC21550-Q1驱动器是光隔离栅极驱动器,配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。通过5kVRMS 隔离栅(共模瞬态抗扰度 (CMTI) 至少为125V/ns)将输入侧与两个 输出驱动器隔离。这些栅极驱动器非常适合车载电池充电器、高压DC-DC转换器、汽车HVAC和车身电子设备。

数据手册:*附件:Texas Instruments UCC21550,UCC21550-Q1双通道栅极驱动器数据手册.pdf

UCC21550/UCC21550-Q1驱动器的保护功能包括电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能,以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成去毛刺滤波器。这些栅极驱动器可在各种应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。UCC21550-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100标准。

特性

  • 4A峰值拉电流和6A峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度(CMTI)大于125V/ns
  • 双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 针对所有电源的UVLO保护
  • 快速禁用电源排序

规范

  • 建议最小输入电压为3V,最大输入电压为5.5V
  • 25V输出电压
  • 结温范围:–40°C至150°C
  • 最大功耗:950mW
  • 开关参数
    • 传播延迟:33 ns(典型值)
    • 5ns最大脉宽失真
    • VDD 上电延迟:10?s(最大值)

应用电路图

1.png

功能框图

2.png

引脚配置

3.png

德州仪器UCC21550-Q1双通道栅极驱动器技术解析

一、产品核心特性

UCC21550-Q1是德州仪器(TI)推出的汽车级增强型隔离双通道栅极驱动器,具有以下突出特性:

?驱动性能?:

  • 4A峰值源电流/6A峰值灌电流输出能力
  • 33ns典型传播延迟
  • 5ns最大脉宽失真
  • 支持1.8V至5.5V宽范围输入电压

?隔离保护?:

  • 5kVRMS强化隔离等级
  • 125V/ns共模瞬态抗扰度(CMTI)
  • 集成输入/输出钳位二极管
  • 所有电源均具有UVLO保护

?配置灵活性?:

  • 可配置为双低侧、双高侧或半桥驱动器
  • 电阻可编程死区时间(1.7kΩ至100kΩ)
  • 支持MOSFET、SiC和GaN器件驱动
  • 工作结温范围-40°C至+150°C

二、关键技术创新

1. 智能栅极驱动架构

  • ?双MOSFET输出级?:结合P沟道MOSFET和N沟道MOSFET并联结构,在米勒平台区提供增强驱动能力
  • ?有源下拉电路?:在UVLO条件下将输出钳位至约1.5V(典型值)
  • ?传输延迟匹配?:通道间延迟匹配<5ns,确保半桥精确同步

2. 增强型保护机制

  • ?三级电源监控?:
    • VCCI UVLO阈值2.7V(典型值)
    • 可选的VDD UVLO阈值(5V/8V/12V版本)
    • 集成电源启动延时电路
  • ?故障安全设计?:
    • 输入开路时内部下拉电阻自动拉低
    • DIS引脚禁用时双路输出同步关断

三、典型应用设计

1. 汽车OBC半桥驱动方案

?关键参数配置?:

  • 栅极电阻选择:
    • R_ON=2.2Ω(实现2.4A峰值源电流)
    • R_OFF=0Ω(实现3.6A峰值灌电流)
  • 死区时间设置:RDT=(tDT?13)/8.6=(100ns?13)/8.6≈10kΩRD T =(tDT**? 13 ) /8.6 =(100ns**?13)/8.610kΩ
  • 自举电路设计
    • 选用1200V SiC二极管(C4D02120E)
    • 自举电阻RBOOT=2.2Ω
    • 自举电容CBoot=1μF(满足85nC栅极电荷需求)

2. 保护电路设计要点

保护类型实现方式关键参数
负压钳位栅极回路串联5.1V齐纳二极管VGS=-5.1V@关断
米勒钳位栅源并联15kΩ电阻抑制dv/dt误触发
短路保护集成20A峰值电流能力响应时间<5.5μs

四、性能优化指南

1. PCB布局关键准则

  1. ?功率回路?:
    • 栅极驱动回路面积<5mm?
    • 采用开尔文连接降低寄生电感
  2. ?隔离设计?:
    • 初级/次级侧保持8mm爬电距离
    • 避免在器件下方走线
  3. ?热管理?:
    • 使用4×0.3mm过孔阵列连接散热焊盘
    • 优先扩大VSSA/VSSB铜箔面积

五、功能模式详解

1. 工作状态机

  • ?关断模式?:VCCI<2.5V,功耗仅2.5μA
  • ?待机模式?:电荷泵激活但未驱动MOSFET
  • ?运行模式?:
    • 正常开关(DIS=Low)
    • 强制关断(DIS=High或悬空)

2. 死区时间配置选项

DT引脚配置工作模式典型应用
接VCCI死区功能禁用同步整流
接GND输出互锁硬开关拓扑
接电阻可编程死区半桥/全桥

该器件通过创新的隔离技术和军工级可靠性设计,为新能源汽车OBC、DC-DC转换器等应用提供了高集成度的驱动解决方案。其独特的200V非抑制负载突降保护能力和AEC-Q100认证,使其成为严苛汽车环境的理想选择。

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