Texas Instruments LP5860T LED矩阵驱动器是一款大电流、高性能LED矩阵驱动器。该器件集成了18个恒定电流阱和N (N = 6/8/11)个开关MOSFET，以支持N × 18个LED点或N × 6个RGB LED。LP5860T集成了11个MOSFET，用于多达198个LED点或66个RGB LED。

数据手册：*附件：Texas Instruments LP5860T LED矩阵驱动器数据手册.pdf

LP5860T支持模拟调光和PWM调光方法。对于模拟调光，每个LED点均可进行256级调整。对于PWM调光，集成的8位或16位可配置PWM发生器可让调光控制平顺、无可闻噪声。每个LED点也可任意映射到8位群组PWM中，从而实现调光控制。

LP5860T器件实现了完整的可寻址SRAM，从而最大程度地减少数据流量。集成了重影消除电路，可消除上下重影。Texas Instruments LP5860T还支持LED开路和短路检测功能。1MHz（最大值）I^2^C和12-MHz（最大值）SPI均采用LP5860T封装。

特性

• LED矩阵拓扑
  • 六个恒定电流阱，带七个扫描开关，用于42个LED点
  • 可配置为1至7个扫描开关
• 工作电压范围
  • V CC /VLED 范围为2.7V至5.5V
  • 逻辑引脚兼容1.8 V、3.3 V和5 V
• 灵活的调光选择
  • 对每个LED点进行单独的开/关控制
  • 模拟调光（电流增益控制）
    • 为所有LED点提供全局7位最大电流 (MC) 设置
    • 三组7位彩色电流 (CC) 设置，用于红色、绿色和蓝色
    • 单独8位点电流 (DC) 设置，用于每个LED点
  • PWM调光，无可闻噪声频率
    • 全局8位PWM调光，用于所有LED点
    • 3组可编程8位PWM调光，用于LED点任意映射
    • 单独8位或16位PWM调光，用于每个LED点
• 18个高精度恒定电流阱
  • 每个电流阱：100mA（VCC ≥ 3.3V时）
  • 器件间误差：±5%
  • 通道间误差：±5%
  • 相移，实现平衡瞬态功率
• 超低功耗
  • 关断模式：ICC ≤ 1?A（EN =Low时）
  • 待机模式：ICC ≤ 10?A（EN =High和CHIP_EN = 0时）（保留数据）
  • 主动模式：通道电流 = 12.5mA时，ICC = 5mA（典型值）
• 完全可寻址SRAM，可最大限度地减少数据流量
• 单个LED点开路/短路检测
• 去重影和低亮度补偿
• 接口选项
  • IFS = Low时，1MHz（最大值）I^2^C接口
  • IFS = High时，12MHz（最大值）SPI接口

简化示意图

LP5860T LED矩阵驱动器技术解析与应用指南

一、产品概述

LP5860T是德州仪器(TI)推出的11×18 LED矩阵驱动器，具有以下核心特性：

• ?198 LED驱动能力?：集成18个恒流源与11个扫描开关，支持198个LED点阵或66个RGB LED
• ?双模调光方案?：支持8位模拟调光与8位/16位PWM调光
• ?宽电压工作范围?：VCC/VLED工作电压2.7V-5.5V，逻辑引脚兼容1.8V/3.3V/5V
• ?超高精度输出?：器件间误差±5%，通道间误差±5%
• ?超低功耗设计?：待机电流≤10μA，关断电流≤1μA
• ?工业级可靠性?：工作温度范围-40°C至125°C（扩展型号支持-55°C至125°C）

二、关键电气参数

1. 绝对最大额定值

2. 典型性能

• ?输出精度?：
  • 器件间误差±5%
  • 通道间误差±5%
• ?输出饱和电压?：
  • 100mA负载时0.7V(典型)
  • 50mA负载时0.6V(典型)
• ?PWM特性?：
  • 频率：62.5kHz/125kHz可选
  • 分辨率：8位/16位可配置

三、功能架构

1. 矩阵拓扑结构

采用11×18矩阵架构，通过时间复用技术驱动198个LED点：

• ? 18个恒流源(CS0-CS17) ?：独立电流控制
• ? 11个高边PMOS开关(SW0-SW10) ?：扫描线控制
• ?支持6-11线扫描配置?：通过Max_Line_Num寄存器设置

2. 调光控制

模拟调光

• ? 3位全局最大电流(MC) ?：7档输出(7.5mA-100mA)
• ? 3组7位颜色电流(CC) ?：独立RGB调节
• ? 8位点校正(DC) ?：每个LED点256级调节

PWM调光

• ?8位/16位独立PWM?：每个LED点可配置
• ?3组8位PWM?：支持LED分组控制
• ?全局8位PWM?：统一亮度调节
• ?相位偏移技术?：125ns相移降低电流纹波

3. 保护功能

• ?LED开路检测?：阈值0.25V(典型值)
• ?LED短路检测?：阈值VLED-1V(典型值)
• ?热关断保护?：160°C触发，145°C恢复
• ? 欠压锁定(UVLO) ?：2.5V(上升)/1.9V(下降)

四、设计注意事项

1. 电源设计

• ?去耦电容布局?：
  • VCC/VLED：1μF陶瓷电容(靠近引脚)
  • VCAP：1μF(必须<1mm距离)
  • VIO：1nF(靠近引脚)
• ?布线要求?：
  • 电源线宽≥15mil(1A电流)
  • 高频路径避免使用过孔

2. 热管理

• ?PCB散热设计?：
  • 裸露焊盘必须良好接地
  • 建议使用4层板设计
  • 增加散热过孔阵列
• ?电流降额建议?：
  • 高温环境(>85°C)时降额使用
  • 多通道同时满负荷需计算TJ

五、应用场景推荐

1. ?智能家电?：OLED状态指示面板
2. ?游戏外设?：RGB键盘背光系统
3. ?工业HMI?：高分辨率指示灯阵列
4. ?汽车电子?：座舱氛围灯控制
5. ?安防设备?：红外补光驱动电路