Texas Instruments LP5861T大电流LED驱动器集成了18个恒定电流阱和N (N = 6/8/11) 个开关MOSFET,以支持N × 18个LED点或N × 6个RGB LED。LP5861T是支持18个LED点或6个RGB LED的直接驱动版本。
数据手册:*附件:Texas Instruments LP5861T大电流LED驱动器数据手册.pdf
LP5861T支持模拟调光和PWM调光方法。对于模拟调光,每个LED点均可进行256级调整。对于PWM调光,集成的8位或16位可配置PWM发生器可让调光控制平顺、无可闻噪声。每个LED点也可任意映射到8位群组PWM中,从而实现调光控制。
LP5861T器件实现了完整的可寻址SRAM,从而最大程度地减少数据流量。集成了重影消除电路,可消除上下重影。Texas Instruments LP5861T还支持LED开路和短路检测功能。1MHz(最大值)I^2^C和12MHz(最大值)SPI均采用LP5861T封装。
特性
- 工作电压范围
- V
CC/VLED范围:2.7V至5.5V - 逻辑引脚兼容1.8 V、3.3 V和5 V
- V
- 灵活的调光选择
- 18个大电流和精密恒定电流阱
- 每个电流阱:125mA(V
CC≥ 3.3V时) - 器件间误差:±5%
- 通道间误差:±5%
- 相移,实现平衡瞬态功率
- 每个电流阱:125mA(V
- 超低功耗
- 关断模式:I
CC≤ 2 ?A(EN =Low时) - 待机模式:I
CC≤ 10?A(EN =High和CHIP_EN = 0时)(保留数据) - 主动模式:通道电流 = 12.5mA时,I
CC= 5mA(典型值)
- 关断模式:I
- 完全可寻址SRAM,可最大限度地减少数据流量
- 单个LED点开路和短路检测
- 去光和低亮度补偿
- 接口选项
- IFS = Low时,1MHz(最大值)I^2^C接口
- IFS = High时,12MHz(最大值)SPI接口
简化示意图
LP5861T大电流LED驱动器技术解析与应用指南
一、产品概述
LP5861T是德州仪器(TI)推出的18通道高电流LED驱动器,具有以下核心特性:
- ?18个高精度恒流源?:每通道支持125mA输出电流(VCC≥3.3V)
- ?宽电压工作范围?:VCC/VLED工作电压2.7V-5.5V,逻辑引脚兼容1.8V/3.3V/5V
- ?双模调光控制?:
- 8位模拟调光(256级电流调节)
- 8位/16位PWM调光(最高125kHz频率)
- ?超低功耗设计?:待机电流≤10μA,关断电流≤2μA
- ?多重保护机制?:LED开路/短路检测、热关断(160°C)、欠压锁定(UVLO)
- ?工业级可靠性?:工作温度范围-40°C至125°C(扩展型号支持-55°C至125°C)
二、关键电气参数
1. 绝对最大额定值
参数 | 范围 | 单位 |
---|---|---|
电源电压(VCC/VLED/VIO) | -0.5V至7V | V |
输出电压 | -0.5V至VCC+0.5V | V |
持续输出电流 | ±25mA | mA |
结温范围 | -55°C至150°C | °C |
2. 典型性能
- ?输出精度?:
- 器件间误差±5%
- 通道间误差±5%
- ?输出饱和电压?:
- 100mA负载时0.7V(典型)
- 50mA负载时0.6V(典型)
- ?PWM特性?:
- 频率:62.5kHz/125kHz可选
- 分辨率:8位/16位可配置
- ?接口速率?:
- I2C:最高1MHz
- SPI:最高12MHz
三、设计注意事项
1. 电源设计
- ?去耦电容布局?:
- VCC/VLED:1μF陶瓷电容(靠近引脚)
- VCAP:1μF(必须<1mm距离)
- VIO:1nF(靠近引脚)
- ?布线要求?:
- 电源线宽≥15mil(1A电流)
- 高频路径避免使用过孔
2. 热管理
- ?PCB散热设计?:
- 裸露焊盘必须良好接地
- 增加散热过孔阵列
- ?电流降额?:
- 高温环境(>85°C)时建议降额使用
3. 寄存器配置流程
- 初始化电源(VCC/VLED/VIO)
- 设置Dev_initial寄存器:
- Data_Ref_Mode=2(帧同步模式)
- PWM_Fre=1(125kHz)
- 配置模拟调光参数:
- MC=6(100mA)
- CC=64(50%亮度)
- 写入PWM数据
- 发送VSYNC同步信号
四、应用领域
-
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具有8位模拟调光以及8位或16位PWM调光功能的18通道大电流LED驱动器LP5861T数据表

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