晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@100mA,2V;特征频率(fT):240MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
BLUE ROCKET
晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
HXY MOSFET
晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):250mA;功率(Pd):700mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@50mA,10V;
Rubycon
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):250V;集电极电流(Ic):15A;功率(Pd):150W;集电极截止电流(Icbo):50uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@2A,1A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):75@1A,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj);
SPS
晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):10V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@600mA,20mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@200mA,2V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj);
Toshiba
晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@100mA,1V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
Fenghua
晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V;
Rubycon
工商网监