制造商:Toshiba
描述:晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):10V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@600mA,20mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@200mA,2V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj);