晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):125@20mA,10V;特征频率(fT):7GHz;工作温度:+150℃@(Tj);

晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):700V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):125W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@4.5A,2A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):6@100mA,5V;特征频率(fT):7MHz;工作温度:+150℃@(Tj);

晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):150mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@100mA,1V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj);

晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):4.3A;功率(Pd):1.1W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@2A,2V;