晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):250V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@25mA,20V;

晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):3W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):220mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@3A,10V;特征频率(fT):125MHz;工作温度:+175℃@(Tj);

晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):350V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):1.2W;集电极截止电流(Icbo):20nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,4mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@20mA,10V;特征频率(fT):70MHz;工作温度:+150℃@(Tj);

晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW NPN,Vceo=45V,Ic=100mA

晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.5W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):270@1A,2V;

晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@1mA,5V;