晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
ST
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):1.2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):90@20mA,10V;特征频率(fT):6.5GHz;工作温度:+150℃@(Tj);
Slkor
晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):930mA;功率(Pd):350mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):120mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@1A,5V;特征频率(fT):220MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
Rubycon
晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):100mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
TECH PUBLIC
晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):20nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.6V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj);
WPMtek
工商网监