晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;

晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):110@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj);

晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):700mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):320mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):150@500mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj);

晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):1.4W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):150@2A,2V;

General Purpose Transistors PNP Ic=600mA Vceo=40V hfe=100~300 P=300mW SOT23