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TPS22996双通道负载开关技术解析与应用指南

科技观察员 ? 2025-09-06 17:34 ? 次阅读
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Texas Instruments TPS22996双通道负载开关是一款双通道负载开关,具有受控接通功能。该器件包含两个N沟道MOSFET,每通道支持最大4A的连续电流,可在0.6V至5.5V的输入电压范围内工作。每个开关均由一个导通/关断输入(ON1和ON2)独立控制。该控制可与低压控制信号直接连接。当结温高于阈值时,TPS22996能够热关断,从而关闭开关。当结温稳定在安全范围内时,开关会再次导通。TPS22996还提供一个可选的集成式230Ω 片上负载电阻器,用于在开关关闭时快速输出放电。

数据手册:*附件:Texas Instruments TPS22996双通道负载开关数据手册.pdf

Texas Instruments TPS22996采用小巧、节省空间的2.1mm×1.6mm 8-DRL封装,引线可实现低成本制造。该器件的工作温度范围为-40°C至105°C。

特性

  • 集成式双通道负载开关
  • VIN 电压范围:0.6V至VBIAS
  • VBIAS 电压范围:2.5V至5.5V
  • 静态电流
    • IQ =16?A(典型值,双通道)(VIN =VBIAS =5V时)
    • IQ =13?A(典型值,单通道)(VIN =VBIAS =5V时)
  • 导通电阻:14 mΩ(典型值)
  • 每通道最大4A连续开关电流
  • 控制输入阈值,支持使用1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑
  • 可配置上升时间
  • 热关断
  • 快速输出放电(QOD)(可选)

功能框图

1.png

TPS22996双通道负载开关技术解析与应用指南

一、产品核心特性

TPS22996是德州仪器(TI)最新推出的双通道负载开关解决方案,具有以下突出特点:

?关键参数指标?:

  • ?超低导通电阻?:14mΩ(典型值),大幅降低功率损耗
  • ?宽电压输入范围?:0.6V至5.5V(VIN),2.5V至5.5V(VBIAS)
  • ?高电流能力?:每通道支持4A连续电流
  • ?超低静态电流?:16?A(双通道)和13?A(单通道)@5V
  • ?灵活控制接口?:兼容1.2V/1.8V/2.5V/3.3V逻辑电平

?创新功能设计?:

  • 可配置上升时间(通过外部电阻调节)
  • 集成快速输出放电(QOD)功能(230Ω典型值)
  • 热关断保护(阈值150°C,滞回20°C)
  • 小型封装:2.1mm×1.6mm 8-DRL

二、架构设计与工作原理

1. 功能框图解析

TPS22996采用双N沟道MOSFET架构,每个通道包含:

2. 关键工作模式

工作状态ON引脚电平通道状态输出状态
导通模式HIGHMOSFET导通VOUT = VIN
关断模式LOWMOSFET关断接GND(TPS22996)/浮空(TPS22996N)

?独特工作机制?:

  • 通过检测ON引脚电流(ION)实现上升时间调节
  • 内部11.5kΩ电阻与外部电阻构成分压网络
  • 计算公式:RT = 1000×(VON -1.2V)/ION -11.5 (kΩ)

三、典型应用场景

1. 电源时序控制

  • 多电压域上电时序管理
  • 模块化电源系统启用控制
  • 安全关断路径设计

2. 电流浪涌抑制

3. 系统功耗优化

  • 电源域动态隔离
  • 低功耗模式下的外围电路关断
  • 待机电流最小化设计

四、设计实践指南

1. 外围元件选型建议

?电容配置原则?:

  • 输入电容(CIN):≥1?F陶瓷电容(建议值为CL的10倍)
  • 输出电容(CL):典型值100nF
  • 偏置电容(CBIAS):0.1?F陶瓷电容

?电阻计算示例?:
目标:VBIAS=5V,VIN=5V时实现1000?s上升时间

  1. 查表得ION介于20-100?A之间
  2. 线性插值计算:ION ≈ 86.8?A
  3. 计算RT值:32.2kΩ(选用标准值33kΩ)

2. PCB布局要点

?功率路径设计?:

  • 保持VIN/VOUT走线宽度≥1mm/A
  • 功率回路面积<1cm?
  • 避免在开关节点下分割地平面

?热管理建议?:

  • 充分利用GND焊盘散热
  • 必要时添加thermal via阵列
  • 环境温度不超过85°C(自然对流)

五、性能测试数据

1. 动态特性实测

测试条件典型值单位
VBIAS=5V, VIN=0.6V810?s (ION=20?A)上升时间
VBIAS=5V, VIN=5V688?s (ION=100?A)上升时间
全温度范围延迟317-588?s导通延迟

2. 能效表现

负载电流功率损耗效率
1A@3.3V46.2mW99.86%
2A@1.8V100.8mW99.72%
4A@5V224mW99.89%

六、故障排查与优化

常见问题解决方案

?异常现象1:输入电压跌落?

  • 检查CIN容量是否足够
  • 验证RT电阻值是否过小
  • 测量布局环路电感

?异常现象2:热关断频繁?

  • 确认环境温度
  • 检查负载电流是否超限
  • 优化散热设计

?设计验证清单?:

  1. ON引脚未浮空
  2. VBIAS在2.5-5.5V范围内
  3. 输入输出电容容值匹配
  4. 功率走线满足电流需求
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