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数据: ISO5452-Q1 具有分离输出和有源安全特性的高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极 驱动器 数据表
ISO5452-Q1 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器,具有分离输出(OUTH 和 OUTL)以及 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 2.25V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出端允许的电源范围为 15V 至
30V。两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。
内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过流状态。检测到 DESAT 时,“静音”逻辑会立即阻断隔离器输出,并启动软关断过程以禁止 OUTH 并将 OUTL 拉至低电平持续
2μs。当 OUTL 达到 2V 时(相对于最大负电源电势 VEE2),栅极驱动器输出会被“硬”拉至 VEE2 电势,从而立即将 IGBT 关断。
当发生去饱和故障时,器件会通过隔离隔栅发送故障信号,以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。“静音”逻辑在软关断期间激活。FLT 的输出状态将被锁存,并只能在 RDY 变为高电平后通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。
如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT,输出电压会被硬钳位为 VEE2。如果输出电源为单极,那么可采用有源米勒钳位,这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流,从而防止 IGBT 在高电压瞬态条件下发生动态导通。
栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制,这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足,RDY 输出会变为低电平,否则该输出为高电平。
ISO5452-Q1 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装。此器件的额定工作环境温度范围为 -40°C 至 125°C。
所有商标均为其各自所有者的财产。
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Isolation Rating (Vrms) |
DIN V VDE V 0884-10 Transient Overvoltage Rating (Vpk) |
DIN V VDE V 0884-10 Working Voltage (Vpk) |
Number of Channels (#) |
Power Switch |
Enable/Disable Function |
Output VCC/VDD (Max) (V) |
Output VCC/VDD (Min) (V) |
Input VCC (Min) (V) |
Input VCC (Max) (V) |
Peak Output Current (A) |
Prop Delay (ns) |
Prop Delay (Max) (ns) |
Operating Temperature Range (C) |
Package Group |
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ISO5452-Q1 | ISO5451-Q1 | ISO5851-Q1 | ISO5852S-Q1 |
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5700 ? ? | 5700 ? ? | 5700 ? ? | 5700 ? ? |
8000 ? ? | 8000 ? ? | 8000 ? ? | 8000 ? ? |
1420 ? ? | 1420 ? ? | 2121 ? ? | 2121 ? ? |
1 ? ? | 1 ? ? | 1 ? ? | 1 ? ? |
SiCFET IGBT ? ? | IGBT ? ? | IGBT ? ? | IGBT MOSFET ? ? |
N/A ? ? | N/A ? ? | N/A ? ? | N/A ? ? |
30 ? ? | 30 ? ? | 30 ? ? | 30 ? ? |
15 ? ? | 15 ? ? | 15 ? ? | 15 ? ? |
2.25 ? ? | 3 ? ? | 3 ? ? | 2.25 ? ? |
5.5 ? ? | 5.5 ? ? | 5.5 ? ? | 5.5 ? ? |
5 ? ? | 5 ? ? | 5 ? ? | 5 ? ? |
76 ? ? | 76 ? ? | 76 ? ? | 76 ? ? |
110 ? ? | 110 ? ? | 110 ? ? | 110 ? ? |
-40 to 125 ? ? | -40 to 125 ? ? | -40 to 125 ? ? | -40 to 125 ? ? |
SOIC ? ? | SOIC ? ? | SOIC ? ? | SOIC ? ? |