ISO5451-Q1 ISO5451-Q1 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器，具有有源安全

• 适用于汽车电子应用
• 具有符合AEC-Q100标准的下列结果：
  • 器件温度1级：-40°C至125°C的环境运行温度范围
  • 器件人体模型（HBM）分类等级3A
  • 器件充电器件模型（CDM）分类等级C6
• 
  在V _CM = 1500V时，共模瞬态抗扰度（CMTI）的最小值为50kV /μs，典型值为100kV /μs
• 2.5A峰值拉电流和5A峰值灌电流
• 短暂传播延迟：76ns（典型值），
  110ns（最大值）
• 2A有源米勒钳位
• 输出短路钳位
• 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发??出故障报警，并通过 RST 复位
• 具有就绪（RDY）引脚指示的输入和输出欠压锁定（UVLO）
• 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
• 3V至5.5V输入电源电压
• 15V至30V输出驱动器电源电压
• 互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容输入
• 抑制短于20ns的输入脉冲和瞬态噪声
• 可承受的浪涌隔离电压达10000V _PK
• 安全及管理认证：
  • 符合DIN V VDE V 0884-10（VDE V 0884-10）：2006-12标准的8000 V _PK V _IOTM 和1420 V _PK V _IORM 增强型隔离
  • 符合UL 1577且长达1分钟的5700V _RMS 隔离
  • CSA组件验收通知5A， IEC 60950-1和IEC 60601-1终端设备标准
  • 符合EN 61010-1和EN 60950-1标准的TUV认证
  • GB4943.1-2011 CQC认证
  • 已通过UL，VDE，CQC，TUV认证并规划进行CSA认证

应用

• 隔离式绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）驱动器：
  • 混合动力汽车（HEV）和电动车（EV）电模块
  • 工业电机控制驱动
  • 工业电源
  • 太阳能逆变器
  • 感应加热
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