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CSD95377Q4M CSD95377Q4M

数据:

描述

CSD95377Q4M NexFET?功率级的设计针对高功率,高密度同步降压转换器应用进行了高度优化。此产品集成了驱动器IC和功率MOSFET,从而可以实现功率级开关功能。此驱动器IC具有内置可选二极管仿真功能,该功能支持非连续导通模式(DCM)运行,从而提高轻负载效率。该组合在小型3.5mm x 4.5mm外形尺寸封装中提供高电流,高效率和高速开关功能。此外,PCB封装已经过优化,可帮助减少设计时间并简化总体系统设计。

特性

  • 电流为15A时的效率约为94%
  • 最大额定持续电流35A
  • 高频运行(高达2MHz)
  • 高密度3.5mm×4.5mm SON封装
  • 超低电感封装
  • 系统优化的PCB封装
  • 兼容3.3V和5V PWM信号
  • 支持强制连续传导模式(FCCM)的二极管仿真模式
  • 输入电压最高可达16V
  • 三态PWM输入
  • 集成型自举二极管
  • 击穿保护
  • 符合RoHS环保标准 - 无引引脚镀层
  • 无卤素

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比?功率 MOSFET 模块

?
VDS (V)
Power Loss (W)
Ploss Current (A)
ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC (A)
Configuration
Package (mm)
Operating Temperature Range (C)
Pin/Package
CSD95377Q4M
20 ? ?
1.6 ? ?
15 ? ?
35 ? ?
PowerStage ? ?
SON 3.5x4.5 PowerStage ? ?
-40 to 150 ? ?
8VSON-CLIP ? ?

方框图 (1)

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 CSD95377Q4M 相关库存