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芯长征科技

文章:367 被阅读:85.9w 粉丝数:61 关注数:0 点赞数:29

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电池储能系统的性能指标

电池储能系统需要关注的性能指标主要包括两个方面,一是与能量的存储能力及有效利用有关,即与容量有关;另....
的头像 芯长征科技 发表于 07-18 11:51 ?307次阅读
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CMOS工艺中方块电阻的主要类型和测试方法

电阻的测试分为方块电阻和接触电阻,方块电阻是电路设计的重要组成部分,其阻值准确性严重影响电路的性能,....
的头像 芯长征科技 发表于 07-15 14:33 ?913次阅读
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一文详解NMOS与PMOS晶体管的区别

在电子世界的晶体管家族中,NMOS(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)与 PMOS(P....
的头像 芯长征科技 发表于 07-14 17:05 ?2940次阅读
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先进封装中的RDL技术是什么

前面分享了先进封装的四要素一分钟让你明白什么是先进封装,今天分享一下先进封装四要素中的再布线(RDL....
的头像 芯长征科技 发表于 07-09 11:17 ?845次阅读
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GAN功率器件在机器人上的应用实践

GaN器件当前被称作HEMT(高电子迁移率晶体管),此类高电子迁移率的晶体管应用于诸多电子设备中,如....
的头像 芯长征科技 发表于 07-09 11:13 ?2111次阅读
GAN功率器件在机器人上的应用实践

车灯电子系统的DC-DC电源技术解析

从电源设计到照明控制,车灯电子系统的每一个环节都蕴含着丰富的技术原理,而 DC-DC 电源技术更是其....
的头像 芯长征科技 发表于 06-28 10:48 ?1144次阅读
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半导体WAT测试的常见结构

WAT(Wafer Acceptance Test)测试,也叫PCM(Process Control....
的头像 芯长征科技 发表于 06-28 10:26 ?1049次阅读
半导体WAT测试的常见结构

MCU为什么不能直接驱动大功率MOS管

在设计驱动电路时,经常会用到MOS管做开关电路,而在驱动一些大功率负载时,主控芯片并不会直接驱动大功....
的头像 芯长征科技 发表于 06-06 10:27 ?1669次阅读
MCU为什么不能直接驱动大功率MOS管

碳化硅MOS驱动电压如何选择

碳化硅MOS驱动电压选择15V还是18V,是电力电子设计中的关键权衡问题。这两种电压对器件的导通损耗....
的头像 芯长征科技 发表于 06-04 09:22 ?641次阅读
碳化硅MOS驱动电压如何选择

MOSFET热阻参数解读

MOSFET的热阻(Rth)用来表征器件散热的能力,即芯片在工作时内部结产生的热量沿着表面金属及塑封....
的头像 芯长征科技 发表于 06-03 15:30 ?852次阅读
MOSFET热阻参数解读

晶圆表面缺陷类型和测量方法

在半导体制造领域,晶圆堪称核心基石,其表面质量直接关乎芯片的性能、可靠性与良品率。
的头像 芯长征科技 发表于 05-29 16:00 ?1066次阅读
晶圆表面缺陷类型和测量方法

芯片封装抗辐照技术研究

航天器在太空服役时,由于无大气层保护使电子器件直接收到太空环境中的太空辐射和高能粒子冲击,进而引发各....
的头像 芯长征科技 发表于 05-29 10:21 ?744次阅读
芯片封装抗辐照技术研究

详解储能系统黑启动技术

储能系统的“黑启动”是指在电力系统发生大规模停电或故障后,利用储能系统作为备用电源,重新启动电网的过....
的头像 芯长征科技 发表于 05-29 10:16 ?959次阅读
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MOSFET导通电阻参数解读

导通电阻(RDSON)指的是在规定的测试条件下,使MOSFET处于完全导通状态时(工作在线性区),漏....
的头像 芯长征科技 发表于 05-26 15:09 ?1395次阅读
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电池热管理系统技术的最新进展与性能对比

本文由爱尔兰东南理工大学的David Culliton等人合作撰写。本文综述了锂离子电池的产热机制,....
的头像 芯长征科技 发表于 05-26 14:56 ?892次阅读
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注入增强型IGBT学习笔记

为了协调IGBT通态特性与关断特性及短路特性之间的矛盾,提高器件的综合性能和可靠性,在IGBT中引入....
的头像 芯长征科技 发表于 05-21 14:15 ?740次阅读
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晶圆接受测试中的阈值电压测试原理

在芯片制造的纳米世界里,阈值电压(Threshold Voltage, Vth)如同人体的“血压值”....
的头像 芯长征科技 发表于 05-21 14:10 ?611次阅读
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芯长征SiC功率模块荣获2025金芯奖新锐产品奖

此前,2025年5月14日至15日,第十二届汽车电子创新大会(AEIF 2025)在上海盛大举行,这....
的头像 芯长征科技 发表于 05-19 15:24 ?559次阅读

新能源纯电动汽车无法行驶故障分析

车辆不能正常行驶,拖车拖到店面,诊断电脑读取数据流报电机控制器故障码,电池包内部没有任何故障,单体电....
的头像 芯长征科技 发表于 05-15 15:34 ?1293次阅读
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MOSFET单脉冲雪崩击穿能量的失效模式

单脉冲雪崩击穿能量(Energy during avalanche for single pulse....
的头像 芯长征科技 发表于 05-15 15:32 ?1541次阅读
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GaN与SiC功率器件深度解析

本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)晶体管进行了全面综述与展望....
的头像 芯长征科技 发表于 05-15 15:28 ?625次阅读
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芯长征科技亮相2025中国北京国际科技产业博览会

此前,5 月 8 日至 11 日,第二十七届中国北京国际科技产业博览会在国家会议中心盛大举办。本届科....
的头像 芯长征科技 发表于 05-13 18:13 ?531次阅读

IGBT的应用可靠性与失效分析

包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性问题包括安全工作区、闩锁效应、雪崩耐量、短路能力及功耗等,....
的头像 芯长征科技 发表于 04-25 09:38 ?1134次阅读
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芯长征2025慕尼黑上海电子展圆满收官

近日,为期3天的慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心圆满收官。
的头像 芯长征科技 发表于 04-21 11:14 ?520次阅读
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负温度系数电阻的定义和应用场景

你是否想过,为什么手机在高温下会自动降频?电动汽车的电池为何不会过热爆炸?甚至医院里的体温计为何能精....
的头像 芯长征科技 发表于 04-10 14:40 ?966次阅读
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驱动芯片选型的关键因素

电驱系统的驱动芯片是连接控制系统与电机之间的关键部件,其主要作用是将控制信号转换为驱动电机所需的功率....
的头像 芯长征科技 发表于 04-09 14:03 ?941次阅读
驱动芯片选型的关键因素

如何计算晶圆中芯片数量

在之前文章如何计算芯片(Die)尺寸?中,讨论了Die尺寸的计算方法,在本文中,将讨论如何预估一个晶....
的头像 芯长征科技 发表于 04-02 10:32 ?1170次阅读
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详解晶圆级可靠性评价技术

随着半导体工艺复杂度提升,可靠性要求与测试成本及时间之间的矛盾日益凸显。晶圆级可靠性(Wafer L....
的头像 芯长征科技 发表于 03-26 09:50 ?734次阅读
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800V低成本压缩机控制方案

目前电动汽车正向智能化,高压化方向发展,前者在于提升汽车智能性,后者在于改善汽车充电时间等特性.为此....
的头像 芯长征科技 发表于 03-20 09:44 ?1421次阅读
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基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合开关器件综述

拿到一个ST的宣传材料,该资料介绍了Si/SiC混合功率器件可能是过渡到全SiC的中间方案,也找了文....
的头像 芯长征科技 发表于 03-01 14:37 ?971次阅读
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