Texas Instruments TPS7H3302EVM评估模块设计 用于评估TPS7H3302-SEP 抗辐射3A DDR 终端稳压器的性能。TPS7H3302EVM评估模块的工作输出电流高达3A，支持测试DDR、DDR2、 DDR3、DDR3L和DDR4。该评估模块配有方便的测试点和跳线，用于评估TPS7H3302-SEP DDR端子。TPS7H3302EVM评估模块非常适合用于抗辐射DDR电源应用以及用于DDR、DDR2、DDR3和DDR4的存储器终端稳压器。

数据手册：*附件：Texas Instruments TPS7H3302EVM评估模块数据手册.pdf

特性

• 支持测试DDR、DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4
• 内置瞬态负载测试电路
• 输入内核电压VDD 支持2.5V电源轨和3.3V电源轨
• VLDOIN和VDDQ电压范围：0.9V至3.5V
• 动态性能评估特性：
  • 灌电流和拉电流集成负载开关，用于瞬态负载步进仿真
  • 可通过板载电阻器实现可配置的负载步进和转换率控制
• 跳线J14（引脚1和2），用于器件使能（无需安装J14即启用）
• 方便的测试点，用于探测PGOOD、CLK_IN和环路响应测试
• 不使用独立VDDQSNS源时，用于VDDQSNS至VLDOIN滤波器的可选预留位置
• 高达3A输出电流
• 方便的测试点和跳线，用于评估TPS7H3302-SEP DDR端子

模块俯视图

示意图

TPS7H3302EVM评估模块技术解析

一、产品概述

TPS7H3302EVM是德州仪器(TI)推出的DDR终端稳压器评估模块，用于评估TPS7H3302-SEP的性能特性。该器件是一款3A吸/源DDR终端LDO稳压器，专为空间级DDR/DDR2/DDR3/DDR3L/DDR4内存终端应用设计。

核心特性

• ?辐射耐受设计?：满足空间应用严苛环境要求
• ?宽工作范围?：支持0.9V至3.5V输入电压
• ?高精度输出?：VTT输出电压精度达VDDQSNS的1/2
• ?快速瞬态响应?：优化DDR读写操作稳定性
• ?集成保护功能?：包含使能控制(EN)和电源良好指示(PGOOD)

二、关键电路设计

1. 电源架构

模块采用多电源输入设计：

• ?VIN? (2.375-3.5V)：核心电源，电流<100mA
• ?VLDOIN? (0.9-3.5V)：主功率输入，支持3A持续电流
• ?VDDQSNS? (1.2-3.5V)：参考电压输入

?独特设计?：通过J5跳线可选VLDOIN与VDDQSNS连接方案，平衡功耗与性能需求。

2. 瞬态测试电路

评估板集成创新瞬态负载开关：

• 可配置负载阶跃(通过R6-R9,R17-R20电阻调整)
• 支持±1.875A(DDR3)瞬态测试
• 独立源/沉负载选择跳线(J14/J15)

三、性能参数

电气规格

典型应用表现

• ?相位裕度?：>60°(负载500mA-3A全范围)
• ?建立时间?：<1μs(1.875A负载阶跃)
• ?跟踪误差?：<20mV(VTT与VTTREF偏差)

四、评估指南

1. 基础测试配置

1. 连接VIN(3V)、VLDOIN(1.5V)
2. 设置VDDQSNS=1.5V(DDR3)
3. 通过J10监测VTT输出电压
4. 使用J11/J12接入负载

?注意事项?：

• 默认配置支持DDR3 ±1.875A测试
• 需调整R6-R9电阻值适配不同DDR标准

2. 波特图测试

1. 使用Bode 100环路分析仪
2. 注入点：TP4(VTTSNS)
3. 检测点：TP5(反馈节点)
4. 测试频率范围：100Hz-1MHz

?关键发现?：

• 负载电流增加时增益裕度保持>10dB
• 建议输出配置4x4.7μF陶瓷电容优化稳定性

五、应用设计建议

PCB布局要点

1. 功率路径：
   • 使用≥1mm线宽(1oz铜)
   • VIN/VLDOIN去耦电容贴近引脚(<3mm)
2. 热管理：
   • HTSSOP封装RθJA=45.1°C/W(2层板)
   • 建议4层板设计提升散热能力

系统集成

• ?使能时序?：通过EN引脚控制VTT放电
• ?故障监测?：PGOOD开漏输出支持多器件并联监测
• ?VTTREF滤波?：可选R4/C3组成RC滤波器(C3=1μF)

六、典型应用场景

1. ?空间电子系统?
   • 星载计算机内存电源
   • 航天器数据记录装置
2. ?高可靠计算?
   • 加固型服务器内存模块
   • 军工级处理平台