选型手册：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶体管
引言
结合官方说明手册Rev. 4.1, 3/2014 进行解读：MRFE6VP61K25 系列，点进来不难看出，原品牌是飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor, Inc.）发布的 MRFE6VP61K25 系列，为什么跑到NXP官网下面了？接下来我们由此展开了解下该系列。
飞思卡尔半导体 与 NXP 的关系？
首先明确：飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）和恩智浦（NXP）之间的关系是合并与收购
在合并之前，这两家公司都是各自领域的巨头：
- 飞思卡尔：作为摩托罗拉（Motorola）半导体部门的剥离公司，飞思卡尔在汽车电子、微控制器（MCU）和网络处理器方面拥有强大的技术和市场份额。
- 恩智浦：作为飞利浦（Philips）半导体部门的剥离公司，恩智浦则在安全连接技术、射频识别（RFID）和近场通信（NFC）等领域处于领先地位。
通过整合，NXP 吸收了飞思卡尔的优势，所以现如今，我们搜索飞刺卡尔半导体的型号的时候就会发现被收录到NXP 的官网上了。
NI--1230H--4S MRFE6VP61K25HR6/R5MRFE6VP61K25 系列 基本信息
简单描述下，就是一个，N 沟道增强型横向 MOSFET，用于高电压驻波比（VSWR）场景，输入输出均为非匹配设计，支持 1.8-600MHz 宽频率范围，当然pdf中也专门列出引脚图，及一些特性，这里就简要概括下。
引脚图
Pin Connections 注：封装背面为晶体管源端关键性能参数（典型值：VDD=50V，IDQ=100mA）
1. 基础性能（230MHz 频段）
| 信号类型 | 输出功率（Pout） | 功率增益（Gps） | 漏极效率（ηD） |
|---|---|---|---|
| 脉冲信号（100μs，20% 占空比） | 峰值 1250W | 24.0dB | 74.0% |
| 连续波（CW） | 1250W | 22.9dB | 74.6% |
2. 不同频段应用电路典型性能
| 频率范围 | 信号类型 | 输出功率（Pout） | 功率增益（Gps） | 漏极效率（ηD） |
|---|---|---|---|---|
| 27MHz | CW | 1300W | 27dB | 81% |
| 40MHz | CW | 1300W | 26dB | 85% |
| 81.36MHz | CW | 1250W | 27dB | 84% |
| 87.5-108MHz | CW（FM 广播） | 1100W | 24dB | 80% |
| 144-148MHz | CW | 1250W | 26dB | 78% |
| 170-230MHz | DVB-T（数字广播） | 225W | 25dB | 30% |
| 352MHz | 脉冲（200μs，20% 占空比） | 1250W | 21.5dB | 66% |
| 352MHz | CW | 1150W | 20.5dB | 68% |
| 500MHz | CW | 1000W | 18dB | 58% |
封装及型号释义
MRFE6VP61K25封装图示- NI - 1230H - 4S（有耳）：型号为 MRFE6VP61K25HR6、MRFE6VP61K25HR5
- NI - 1230S - 4S（无耳）：型号为 MRFE6VP61K25HSR5
- NI - 1230GS - 4L（无耳表贴）：型号为 MRFE6VP61K25GSR5
个人声明：以上内容来自官方PDF，个人兴趣归纳收集，如有侵害您的权益请联系删除。
信息来源链接：https://www.nxp.com.cn/part/MRFE6VP61K25H
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