中微爱芯AiP8F35XX系列触摸芯片开发指南

中微爱芯为AiP8F35XX系列芯片提供一份产品开发指南，帮助用户快速掌握芯片性能，降低产品开发周期，提高开发效率。

1.触摸应用场景

AiP8F35XX触摸芯片应用范围：弹簧按键、隔空触摸、滑轮滑条。

2.外部晶振选择

（涉及AiP8F356X系列）

AiP8F356X外部晶振可选择HXT/LXT，当使用HXT晶振端口复用为LXT时，无需等待振荡稳定标志位。

3.E2PROM读/写规范

（涉及AiP8F350X、AiP8F351X、AiP8F353X系列）

在E2PROM数据读或者写时，建议关闭总中断，操作完之后再打开总中断。

编程函数可直接采用我司提供外设库。

数据写入

数据读取

在E2PROM/FLASH和UART同时使用时，当UART使能接收中断时，则要求E2PROM/FLASH操作之后清除UART溢出错误标志位。

4.定时器输出精确定时

（涉及AiP8F35XX全系列）

当用户开启触摸功能，同时需要定时器输出精准波形驱动相关器件(如蜂鸣器)，一般建议将当前定时器的中断优先级提高即可：

例如：采用T0定时器软件输出PWM驱动BUZZ或者点亮LED，将T0中断优先级设置最高（IP0 |= 0X20; IP1 |= 0X20）

5.KEYCODE寄存器

（涉及AiP8F35XX全系列）

以下寄存器需要对KEYCODE寄存器写入固定值已解锁写保护：

注：

1、需预先写入KEYCODE解锁写保护：0x3C、0x02、0xA0，写结束后写入0x00打开写保护

2、需预先写入KEYCODE解锁写保护：0x3C、0x02、0xA1，写结束后写入0x00打开写保护

范例：例如程序中需要关闭ADC的外设时钟，软件中如下操作：

6.WDT时钟源

（涉及AiP8F353X系列）

当WDT工作在定时器模式并打开中断时，禁止选择预分频时钟中LIRC作为时钟。如下表所示：

建议：WDT时钟源采用Fx(FRECK[1:0])，或者直接选择LIRC/256（WDTCK = 1）。

FRECR寄存器

WDTCR寄存器

7.IIC主从通信

（涉及AiP8F353X系列）

7.1. 从机通信速率

当IIC工作在从机模式下，通过中断处理收发数据时，最大通信速率不要超过20K。

注：主从通信范例程序可参考外设库中提供范例。

7.2. STOPF标志位清零

IIC主机在发送完STOP信号后需手动清除STOPF标志位。

C语言示例：

8.SPI通信速率

（涉及AiP8F351X、AiP8F353X、AiP8F356X系列）

SPI通信速率最快不能超过2M。

9.唤醒

（涉及AiP8F356X系列）

该芯片停振检测中断无法唤醒IDLE模式。

10.最低工作电压

（涉及AiP8F356X系列）

该芯片最低工作电压为2.2V。

11.AC高压过零信号检测

（涉及AiP8F35XX全系列）

硬件方案：采用隔离式检测，同时在芯片检测端口添加一个RC滤波模块。如下：

方式1：采用光耦隔离

方式2：采用三极管隔离

12.不同外设中断共用同一个中断使能位

（涉及AiP8F351X、AiP8F353X、AiP8F356X系列）

原则：中断标志位需要第一时间清除。

如AiP8F3264芯片中，ADC和SPI共用同一个中断使能位INT15E，当该位置1时，则开启ADC和SPI中断。当软件中同时使能ADC和SPI功能时，则要求上述两个外设的中断标志位需第一时间清除。

13.VDD和GND的处理

（涉及AiP8F35XX全系列）

为了提高芯片电源的稳定性，芯片VDD与GND之间必须加100nF电容。

芯片VDD与GND走线宽度不低于30mil。

14.触摸电阻选择

（涉及AiP8F35XX全系列）

为了提高触摸的可靠性，提升一次通过CS实验(注入电流)通过率，建议MCU触摸引脚与弹簧之间串联电阻，阻值范围：4.7K-10K， 推荐使用10K。

触摸电阻尽量靠近芯片引脚。

错误：电阻距离芯片太远

正确：电阻靠近芯片

15.系统上电初始化注意事项

（涉及AiP8F350X、AiP8F351X系列）

由于芯片初始上电时，默认开启LVR为1.6V，系统时钟采用1M工作。当用户将系统时钟切换到16M工作时，则该频率下的最低工作电压必须高于3V；如果出现电源慢上电情况，且电压在3V以下1.6V以上同时将系统时钟切换到16M时，则容易出现芯片死机现象。

建议如下：

第一步：延时100-200ms，等待电源稳定

第二步：设置LVR

第三步：设置系统时钟频率

16.UART使用注意事项

（涉及AiP8F35XX全系列）

16.1. 全双工通信设计

UART发送完成中断标志位TC和接收中断标志位RXNE在同一个寄存器上，此寄存器不能位操作，所以在清除TC和RXNE时会对整个寄存器进行与操作，这样当UART进行全双工通信时发送和接收中断有可能同时产生，或者是两者之间间隔时间很短，会出现TC或者RXNE被误清除导致中断丢失的风险，因此在全双工通信应用场景中，中微爱芯独特的位操作设计可避免该风险的产生。设计原理：TC和RXNE该位只可读或者写0，无法写1，这样通过对标志位直接赋值0的方式来进行位清除，无需通过与操作。具体如下：

17.STOP模式唤醒注意事项

（涉及AiP8F350X、AiP8F351X、AiP8F353X系列）

为了消除外部中断有概率无法唤醒STOP的问题，现建议用户如下操作：

步骤1：进入STOP模式之前，关闭总中断。

步骤2：清除项目中开启中断的中断标志位

步骤3：进入STOP状态

步骤4：退出STOP模式，恢复总中断

18.通信线硬件注意事项

18.1. 芯片UART、I2C、SPI等与另外一颗MCU或者WIFI通信

为了降低外接通信引脚对触摸的影响，则可以在通信引脚上加100~220pF电容来降低外部干扰到芯片触摸的影响。 一般建议通信引脚串联电阻(100-510欧姆)、电容(100~220pF)形成RC滤波，其中电容需尽量靠近MCU引脚。

两颗MCU间UART通信

MCU与WIFI通信

18.2. MCU与LED、LCD、时钟电路等驱动芯片连接的通信

一般建议通信引脚串联电阻(100-510欧姆)、电容(100~220pF)形成RC滤波，其中滤波电容需尽量靠近MCU引脚。

18.3. AD、编码器、红外等信号输入引脚

外部信号一般建议采用RC滤波后，再进入MCU引脚用于检测。其中滤波电容C尽量靠近MCU芯片引脚。

19.HXT使用注意事项

（涉及AiP8F35XX全系列）

必须使用规格小于等于24MHz的高速晶振进行4分频配置后才可作为系统时钟，为了提高晶振及芯片的稳定性，建议PCB晶振接口设计应当尽量靠近芯片晶振引脚（5mm左右），如下图所示：

关于中微爱芯

无锡中微爱芯电子有限公司成立于2004年，是一家以集成电路设计、测试、方案开发、销售和服务为主的高新技术企业，是工信部认定的集成电路设计企业，是国家鼓励的重点集成电路设计企业。产品已形成MCU、LCD显示、LED显示、通用逻辑、信号链、马达&栅驱动、功率器件、电源、音响、遥控器、通信、配套等多个系列几千款产品，覆盖消费电子、网通产品、工业设备、新能源、汽车电子等多个领域。