CSD43301Q5M NexFET? 智能同步整流器数据手册-电子发烧友网

CSD43301Q5M NexFET? 智能同步整流器数据手册

CSD43301Q5M NexFET 智能同步整流器是一款高度优化的设计，用于在高功率高密度 DC/DC 中进行二次同步整流转炉。该产品集成了驱动IC和超低R上权力 MOSFET完成同步整流功能。此外，PCB占用空间已优化有助于缩短设计时间并简化整个系统设计的完成。
*附件：csd43301q5m.pdf

特性

典型 R上4.5 V 时为 0.55 mΩDD
集成 FET 驱动器
最大额定电流 80A
高密度 – SON 5 毫米× 6 毫米封装
超低电感封装
系统优化的PCB封装
兼容TTL IN信号
无卤素
符合 RoHS 标准 – 无铅端子
电镀无卤素
参数

方框图

?产品概述?
- ?型号?：CSD43301Q5M，德州仪器（TI）NexFET?系列产品，专为高功率密度DC/DC转换器的次级同步整流优化设计。
- ?核心特性?：
  - 超低导通电阻（典型值0.55mΩ@4.5V）。
  - 集成FET驱动器和功率MOSFET，简化系统设计。
  - 80A最大额定电流，5mm×6mm SON封装，符合RoHS标准。
?关键参数?
- ?电气特性?：
  - 工作电压范围：4.5V至6V（推荐），支持9.6V瞬态电压。
  - 开关频率最高1500kHz，最小输入脉冲宽度48ns。
  - 热阻：结到外壳（RθJC）20°C/W，结到电路板（RθJB）2°C/W。
- ?保护功能?：
  - 欠压锁定（UVLO）：4.2V（典型值），300mV滞后。
  - ESD防护：HBM 2000V，CDM 500V。
?应用设计要点?
- ?PCB布局建议?：
  - 缩短DRAIN引脚与电感的距离以降低损耗。
  - 必须将引脚7（PGND）与底部散热焊盘（引脚13）直接连接。
  - 使用热通孔阵列散热，推荐孔径0.25mm，间距1mm。
- ?损耗计算?：
  - 总损耗=驱动损耗（PDRV）+导通损耗（PCOND）+开关损耗（PSW）。
  - 开关损耗包含体二极管导通、反向恢复及输出电荷损耗。
?封装与订购信息?
- ?封装?：12引脚LSON-CLIP（5mm×6mm），卷带包装（2500片/卷）。
- ?工作温度?：-40°C至125°C，存储温度-65°C至150°C。