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ISO5452-Q1 汽车5.7kVrms 2.5A/5A单通道隔离栅极驱动器数据手册

科技绿洲 ? 2025-05-19 15:18 ? 次阅读
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ISO5452-Q1 的电压为 5.7 kV RMS ,用于 IGBTMOSFET 的增强型隔离式栅极驱动器,具有分离输出 OUTH 和 OUTL,可提供 2.5 A 拉电流和 5 A 灌电流。输入侧由 2.25V 至 5.5V 单电源供电。输出侧允许的电源范围从最小 15 V 到最大30 V。两个互补的 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。76 ns 的短传播时间确保了对输出级的精确控制。
*附件:iso5452-q1.pdf

内部去饱和 (DESAT) 故障检测可识别 IGBT 何时处于过流状态。检测到 DESAT 后,静音逻辑立即阻断隔离器的输出并启动软关断程序,禁用 OUTH,并在2 μs 的时间跨度内将 OUTL 拉至低电平。当 OUTL 相对于最负电源电位达到 2 V 时,V EE2 系列 ,栅极驱动器输出被用力拉至 VEE2 系列电位,立即关闭 IGBT。

当去饱和有效时,故障信号通过隔离栅发送,将输入侧的 FLT 输出拉低并阻止隔离器输入。Mute logic 通过 soft-off period 激活。FLT 输出条件是锁存的,只有在 RDY 变为高电平后,才能通过 RST 输入端的低有效脉冲进行复位。

当 IGBT 在双极输出电源正常工作期间关闭时,输出硬钳位至 V EE2 系列 .如果输出电源为单极性,则可以使用有源米勒箝位,允许米勒电流通过低阻抗路径吸收,从而防止 IGBT 在高压瞬态条件下动态导通。

栅极驱动器的运行准备情况由两个欠压锁定电路控制,用于监控输入侧和输出侧电源。如果任一侧电源不足,则 RDY 输出变为低电平,否则此输出为高电平。

ISO5452-Q1 采用 16 引脚 SOIC 封装。器件工作温度范围为 –40°C 至 +125°C 环境温度。

特性

  • 适用于汽车应用
  • 符合 AEC-Q100 标准,结果如下:
    • 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 设备 HBM 分类等级 3A
    • 器件 CDM 分类等级 C6
  • V 时 50kV/μs (最小值)和 100kV/μs 典型共模瞬态抗扰度 (CMTI厘米 = 1500 伏
  • 分离输出,可提供 2.5A 峰值拉电流和
    5A 峰值灌电流
  • 短传播延迟:76 ns(典型值)、
    110 ns(最大值)
  • 2A 有源米勒箝位
  • Output Short-Circuit Clamp
  • 短路期间的软关断 (STO)
  • 去饱和检测时的故障警报在 FLT 上发出信号,并通过 RST 复位
  • 输入和输出欠压锁定 (UVLO),带就绪 (RDY) 引脚指示
  • 有源输出下拉和默认低电平输出,具有低电源或浮动输入
  • 2.25V 至 5.5V 输入电源电压
  • 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
  • CMOS 兼容输入
  • 抑制短于 20 ns 的输入脉冲和噪声瞬变
  • 隔离浪涌耐受电压 10000VPK
  • 安全相关认证
    • 8000 伏PKV物联网和 1420-VPKVIORM符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 的增强隔离
    • 5700 伏RMS隔离 1 分钟,符合 UL 1577 标准
    • CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 的 TUV 认证
    • GB4943.1-2011 CQC 认证
    • 所有认证完成

参数
image.png

方框图
image.png

概述

ISO-Q是一款由Texas Instruments(TI)生产的高共模瞬态免疫(CMTI)隔离IGBT和MOSFET栅极驱动器。该驱动器专为汽车和工业应用设计,具备增强的隔离性能、灵活的供电选项以及多种主动保护功能。

主要特性

  • ?高CMTI能力?:kV/μs的共模瞬态免疫能力,确保在恶劣电磁环境中稳定工作。
  • ?强化隔离?:提供.kV RMS的隔离电压,满足安全标准,适用于强化绝缘应用。
  • ?灵活供电?:输入侧支持.V至.V的单电源供电,输出侧支持V至V的电源范围。
  • ?双路输出?:具有分裂的输出OUTH和OUTL,分别提供.A的源电流和A的灌电流。
  • ?主动保护功能?:包括短路保护、欠压锁定(UVLO)、故障报警(FLT)和复位(RST)功能。

功能描述

输入与输出

  • ?输入接口?:CMOS兼容输入,支持标准TTL电平信号。
  • ?输出接口?:分裂输出OUTH和OUTL,分别用于驱动IGBT或MOSFET的栅极,提供增强的驱动能力。
  • ?短路保护?:内置短路检测和保护功能,在检测到短路时自动关断输出。

保护机制

  • ?UVLO保护?:输入和输出侧均具备UVLO功能,确保在供电不足时自动关断输出,防止损坏。
  • ?故障报警?:检测到故障时,FLT引脚输出低电平信号,并通过RDY引脚指示设备状态。
  • ?复位功能?:通过RST引脚实现故障复位,恢复设备正常工作。

其他功能

  • ?活性米勒钳位?:在单电源供电时,通过钳位输出防止因米勒效应导致的误触发。
  • ?软关断?:在故障条件下,通过软关断程序安全地关闭输出,减小对系统的冲击。
  • ?编程死区时间?:支持通过外部元件设置死区时间,防止半桥或全桥电路中的上下桥臂直通。

应用领域

ISO-Q适用于需要高隔离电压、灵活供电选项和多种保护功能的栅极驱动应用,包括但不限于:

  • ?汽车应用?:如电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的功率模块
  • ?工业电机控制?:如工业电机驱动器、工业电源供应器等。
  • ?开关电源?:在需要高隔离和可靠栅极驱动的开关电源系统中应用广泛。

设计指南

  • ?电源去耦?:在输入和输出电源引脚附近放置旁路电容,以减小电源噪声和干扰。
  • ?控制输入驱动?:使用标准的CMOS推挽驱动电路来驱动IN+和IN-输入,以确保最大的CMTI性能。
  • ?故障处理?:根据应用需求配置FLT和RST引脚,实现局部或全局的故障处理和复位功能。
  • ?PCB布局?:遵循推荐的PCB布局指南,确保信号完整性、热性能和电气隔离。
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