概述
ADRF5424是一款反射式、单刀双掷(SPDT)开关,采用连接在砷化镓(GaAs)载波衬底上的硅工艺制造。该衬底集成了芯片和引线装配焊盘,且器件底部经过金属化处理并接地。
该器件的工作频率范围为100 MHz至60 GHz,在55 GHz时提供优于1.5 dB的插入损耗和35 dB隔离性能。ADRF5424的通过路径和热切换均具有27 dBm(高达40 GHz时)的RF输入功率处理能力。
ADRF5424在+3.3 V正电源电压和-3.3 V负电源电压下分别消耗14 μA和120 μA的低电流。该器件具有互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。
ADRF5424设计用于匹配50 Ω的特征阻抗。
数据表:*附件:ADRF5424载波裸片,硅SPDT开关,100MHz至60GHz技术手册.pdf
应用
- 测试和仪器仪表
- 蜂窝基础设施:5G毫米波
- 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)
- 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
特性 - 超宽带频率范围:100 MHz 至 60 GHz
- 反射式设计
- 用于线焊和带状键合的焊盘
- 低插入损耗
- 1.0 dB 典型值,最高 18 GHz
- 1.3 dB 典型值,最高 44 GHz
- 1.5 dB 典型值,最高 55 GHz
- 高输入线性度
- P1dB:28 dBm(典型值)
- IP3:50 dBm(典型值)
- 高 RF 功率处理能力
- 直通路径:27 dBm,高达 40 GHz
- 热切换:27 dBm,高达 40 GHz
- 无低频杂散信号
- RF 建立时间(50% V
CTRL至 0.1 dB 的最终 RF 输出):17 ns - 14 焊盘、2.471 毫米 x 2.571 毫米、载体上裸片 [CHIP]
框图
引脚配置
接口示意图
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