ADRF5019 100MHz至13 GHz硅SPDT非反射式开关技术手册

概述

ADRF5019 是一款采用硅工艺制造的非反射式单刀双掷 (SPDT) RF 开关。

ADRF5019 的工作频率范围为 100 MHz 至 13 GHz，在 8 GHz 时具有优于 0.8 dB 的插入损耗和 45 dB 隔离。ADRF5019 采用非反射设计，其 RF 端口在内部终接至 50 Ω。

ADRF5019 开关需要 +3.3 V 和 ?2.5 V 的双电源电压，以及正控制电压输入。此开关采用互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容型和低电压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容型控制。

ADRF5019 还可使用单个正电源电压 (V DD ) 工作。负电源电压 (V SS ) 连接至地。即使在单电源工作模式下，ADRF5019 也能覆盖 100 MHz 至 13 GHz 的工作频率范围，并保持良好的功率处理性能。更多详细信息请参见“Applications Information”部分。

ADRF5019 的引脚与 HMC1118 兼容，后者是低截止频率版本，可在 9 kHz 至 13.0 GHz 的频率范围内工作。

ADRF5019 采用 16 引脚引线框架芯片规模封装 (LFCSP)，可在 ?40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。
数据表：*附件：ADRF5019 100MHz至13 GHz硅SPDT非反射式开关技术手册.pdf

应用

• 测试仪表
• 微波无线电和甚小孔径终端 (VSAT)
• 军用无线电、雷达和电子对抗措施 (ECM)
• 光纤和宽带电信

特性

• 非反射 50 Ω 设计
• 低插入损耗：8 GHz 时为 0.8 dB
• 高隔离：8 GHz 时为 45 dB
• 高输入线性度
  • P1dB：39 dBm
  • IP3：60 dBm（典型值）
• 高功率处理能力
  • 35 dBm 插入损耗路径
  • 27 dBm 热切换
• ESD 额定值：2 kV（2 级）HBM
• 无低频杂散信号
• 0.05 dB 射频建立时间：375 ns
• 0.1 dB 射频建立时间：300 ns
• 16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP
• 引脚与 HMC1118 兼容，低频截止版本

框图

引脚配置

接口示意图

ADRF5019-EVALZ是一款4层板。外部铜(Cu)层被镀覆0.7密耳至2.2密耳，并由电介质材料隔开。图23显示了ADRF5019-EVALZboard的层叠图。图23所示的电路板布局和层叠用于进行数据手册中包含的测量。

所有RF和dc走线都布设在顶层铜层上。内层和底层是接地层，为RF传输线路提供坚实的接地。顶部电介质材料(H)为10密耳Rogers RO4350，可实现最佳射频性能。中间和底部介电层提供机械强度。评估板的总厚度约为62密耳，允许超小型A型(SMA)连接器在板边缘连接。图24显示了ADRF5019的简化应用电路。