技术资料#LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器、保护和温度报告的汽车类650V 30mΩ GaN FET

具有集成驱动器和保护功能的 LMG3522R030-Q1 GaN FET 以开关模式电源转换器为目标，使设计人员能够将功率密度和效率提高到新的水平。

LMG3522R030-Q1 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。可调节的栅极驱动强度允许控制 20V/ns 至 150V/ns 的转换速率，可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。

*附件：LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650 V 30 mΩ GaN FET 数据表.pdf

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出报告，从而简化了器件负载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。

特性

• 符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车应用
  • 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA
  • 结温：–40°C 至 +150°C，TJ
• 650V 硅基氮化镓 FET，带集成栅极驱动器
  • 集成高精度栅极偏置电压
  • 200V/ns FET 抑制
  • 2MHz 开关频率
  • 20V/ns 至 150V/ns 转换速率，用于优化开关性能和 EMI 抑制
  • 采用 7.5V 至 18V 电源供电
• 强大的保护
  • 逐周期过流和锁存短路保护，具有 < 100ns 响应
  • 在硬开关时可承受 720V 浪涌
  • 针对内部过热和 UVLO 监控进行自我保护
• 高级电源管理
  • 数字温度 PWM 输出
• 顶部冷却的 12mm × 12mm VQFN 封装将电气和热路径分开，以实现最低功率环路电感

参数

方框图

应用
?开关模式功率转换器
?商户网络和服务器PSU
?商业电信整流器
?车载（OBC）和无线充电器
?DC/DC转换器

*附件：管理热能：突破功率密度障碍的三种方法.pdf

*附件：用集成GaN解决方案提高功率密度的技术文章.pdf

*附件：实现GaN产品的终身可靠性.pdf