0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

晶盛机电减薄机实现12英寸30μm超薄晶圆稳定加工

CHANBAEK ? 来源:网络整理 ? 作者:网络整理 ? 2024-08-12 15:10 ? 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

近日,国内领先的半导体设备制造商晶盛机电传来振奋人心的消息,其自主研发的新型WGP12T减薄抛光设备成功攻克了12英寸晶圆减薄至30μm的技术难关,这一里程碑式的成就不仅彰显了晶盛机电在超精密加工领域的深厚实力,更为中国半导体产业的自主创新发展注入了强劲动力。

在传统工艺中,12英寸晶圆的标准厚度约为775?m,而晶盛机电此次实现的30μm超薄晶圆加工,无疑是对行业极限的一次大胆挑战与成功跨越。这一技术的突破,不仅要求设备具备极高的精度和稳定性,还需有效解决加工过程中可能遇到的晶圆变形、裂纹产生及表面污染等复杂问题。晶盛机电的研发团队凭借卓越的创新能力和不懈的努力,成功克服了这些技术障碍,实现了超薄晶圆的高效、稳定加工。

此次技术突破不仅代表了晶盛机电在半导体设备制造领域的又一次重大飞跃,更为中国半导体行业提供了更加先进、高效的晶圆加工解决方案。它不仅有助于提升我国半导体产品的国际竞争力,还将进一步推动半导体产业链的完善和发展,为实现半导体产业的自主可控奠定坚实基础。未来,晶盛机电将继续秉持创新精神,致力于半导体技术的研发与应用,为中国乃至全球半导体产业的繁荣发展贡献更多力量。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    335

    文章

    29027

    浏览量

    239952
  • 晶圆
    +关注

    关注

    53

    文章

    5181

    浏览量

    130108
  • 晶盛机电
    +关注

    关注

    0

    文章

    16

    浏览量

    3388
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    清洗怎么做夹持

    清洗中的夹持是确保在清洗过程中保持
    的头像 发表于 07-23 14:25 ?132次阅读

    不同尺寸清洗的区别

    尺寸与清洗挑战小尺寸(2-6英寸)特点:面积小、厚度较(如2英寸
    的头像 发表于 07-22 16:51 ?675次阅读
    不同<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>尺寸清洗的区别

    超薄浅切多道切割中 TTV 均匀性控制技术探讨

    超薄厚度极,切割时 TTV 均匀性控制难度大。我将从阐述研究背景入手,分析浅切多道切割在超薄
    的头像 发表于 07-16 09:31 ?127次阅读
    <b class='flag-5'>超薄</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>浅切多道切割中 TTV 均匀性控制技术探讨

    超薄切割:振动控制与厚度均匀性保障

    超薄因其厚度极,在切割时对振动更为敏感,易影响厚度均匀性。我将从分析振动对超薄
    的头像 发表于 07-09 09:52 ?169次阅读
    <b class='flag-5'>超薄</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>切割:振动控制与厚度均匀性保障

    工艺分为哪几步

    ”,也叫 Back Grinding(BG),是将(Wafer)背面研磨至目标厚度的工艺步骤。这个过程通常发生在芯片完成前端电路制造、被切割前(即
    的头像 发表于 05-30 10:38 ?730次阅读

    12英寸SiC,再添新玩家

    科晶体也宣布成功研制差距12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底,并同期研制成功12英寸N型碳化硅单晶衬底;今年三月,天科合达、
    的头像 发表于 05-21 00:51 ?6593次阅读

    降低 TTV 的磨片加工方法

    ;TTV;磨片加工;研磨;抛光 一、引言 在半导体制造领域,的总厚度偏差(TTV)对芯片性能、良品率有着直接影响。高精度的 TTV 控制是实现
    的头像 发表于 05-20 17:51 ?352次阅读
    降低<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b> TTV 的磨片<b class='flag-5'>加工</b>方法

    对后续划切的影响

    完成后,才会进入封装环节进行处理。为什么要
    的头像 发表于 05-16 16:58 ?489次阅读
    <b class='flag-5'>减</b><b class='flag-5'>薄</b>对后续<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>划切的影响

    简单认识薄技术

    英寸厚度约为670微米,8英寸厚度约为725微米,1
    的头像 发表于 05-09 13:55 ?696次阅读

    机电:6-8 英寸碳化硅衬底实现批量出货

    端快速实现市场突破,公司8英寸碳化硅外延设备和光学量测设备顺利实现销售,12英寸三轴
    的头像 发表于 02-22 15:23 ?1219次阅读

    机电8英寸碳化硅电阻式长炉顺利通过客户验证

    近日,机电开发的8英寸碳化硅(SiC)电阻式长炉顺利通过客户验证,设备稳定性和工艺稳定性均
    的头像 发表于 01-09 11:25 ?599次阅读
    <b class='flag-5'>晶</b>驰<b class='flag-5'>机电</b>8<b class='flag-5'>英寸</b>碳化硅电阻式长<b class='flag-5'>晶</b>炉顺利通过客户验证

    为什么要

    ,满足的翘曲度的要求。但封装的时候则是一点更好,所以要处理到100~200um左右的厚度,就要用到工艺。 ? 满足封装要求 降低封
    的头像 发表于 12-24 17:58 ?1232次阅读

    芯丰精密第二台12超精密成功交付

    近日,武汉芯丰精密科技有限公司宣布,其自主研发的第二台12超精密
    的头像 发表于 10-28 17:18 ?1297次阅读

    氮化镓在划切过程中如何避免崩边

    9月,英飞凌宣布成功开发出全球首款12英寸(300mm)功率氮化镓(GaN)12英寸
    的头像 发表于 10-25 11:25 ?1642次阅读
    氮化镓<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>在划切过程中如何避免崩边

    又一企业官宣已成功制备8英寸SiC

    近日,日本碍子株式会(NGK,下文简称日本碍子)在其官网宣布,已成功制备出直径为8英寸的SiC,并表示公司将于本月低在美国ICSCRM 2024展示8英寸SiC
    的头像 发表于 09-21 11:04 ?691次阅读