罗姆国富工厂将于明年生产8英寸碳化硅晶圆 目标增长35倍
11月上旬，罗姆株式会社社长松本功在财报电话会议上宣布，他们将在日本宫崎县的国富工厂生产8英寸碳化硅晶圆，预计将于2024年开始。
据悉，罗姆于今年7月透过子公司Lapis半导体，与Solar Frontier达成基本协议，收购其国富工厂资产，并将该工厂改造为8英寸SiC晶圆制造工厂。
目前，罗姆在日本共拥有3个SiC基功率半导体生产基地，除国富工厂外，其余2个SiC工厂分别位于福冈、宫崎。
罗姆的目标是到2025财年碳化硅功率半导体收入达到1000亿日元（超过47亿元人民币）；2030财年，SiC产能与2021财年相比将增加35倍。
除了碳化硅，罗姆也在发力氮化镓技术。罗姆早在2006年就开始研发GaN相关产品，并在2021年推出了150V GaN器件技术。
在2023年4月，罗姆公司开始量产650V耐压产品，并在近日推出了2款650V EcoGaN新品。
在今后的发展中，罗姆将继续改进驱动技术和控制技术，并计划在2024年推出一系列新的产品。
罗姆在碳化硅/氮化镓领域还有哪些新动作？他们对第三代半导体关键技术又有哪些展望？EcoGaN和SiC技术又如何赋能新能源市场？
审核编辑：刘清
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原文标题：这个8吋SiC厂明年运行，目标增长35倍
文章出处：【微信号：SiC_GaN，微信公众号：行家说三代半】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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