Negative Capative MOSFET(NC-MOSFET)
审稿人:北京大学 蔡一茂 喻志臻
https://www.pku.edu.cn
审稿人:北京大学 张兴
10.1 非传统新结构器件
第10章 集成电路基础研究与前沿技术发展
《集成电路产业全书》下册
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
晶体管
+关注
关注
77文章
10043浏览量
142605
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
下一代高速芯片晶体管解制造问题解决了!
大多数电路中,两种晶体管共用一个栅极,但壁会阻挡这种连接,除非栅极延伸到其上方,这会增加不必要的电容。
最后,内壁叉栅仅覆盖沟道的三面,与 GAA 设计相比,其控制能力有所减弱,尤其是
发表于 06-20 10:40
无结场效应晶体管详解
当代所有的集成电路芯片都是由PN结或肖特基势垒结所构成:双极结型晶体管(BJT)包含两个背靠背的PN 结,MOSFET也是如此。结型场效应晶体管(JFET) 垂直于沟道方向有一个 PN结,隧道穿透

集成双极晶体管的MOSFET驱动电路以及外围器件选型设计讲解
前言
在MOSFET驱动电路中,经常会遇到使用集成双极晶体管BJT作为栅极驱动器的情况。这种设计在PWM控制或电机驱动中非常常见,尤其是在需要快速开关和高效率时。下面是一个典型的带有BJT的栅极驱动
发表于 03-11 11:14
晶体管电路设计(下) [日 铃木雅臣]
本书主要介绍了晶体管,FET和Ic,FET放大电路的工作原理,源极接地放大电路的设计,源极跟随电路的设计,FET低频功率放大器的设计和制作,栅极接地放大
发表于 03-07 13:55
集成电路制造工艺中的伪栅去除技术介绍
本文介绍了集成电路制造工艺中的伪栅去除技术,分别讨论了高介电常数栅极工艺、先栅极工艺和后栅极工艺对比,并详解了伪栅去除工艺。 高介电常数金属栅极工艺 随着CMOS集成电路特征尺寸的持续

集成电路的引脚识别及故障检测
一、集成电路的引脚识别 集成电路是在同一块半导体材料上,利用各种不同的加工方法同时制作出许多极其微小的电阻、电容及晶体管等电路元器件,并将它
晶体管故障诊断与维修技巧 晶体管在数字电路中的作用
晶体管是现代电子设备中不可或缺的组件,它们在数字电路中扮演着至关重要的角色。了解如何诊断和维修晶体管故障对于电子工程师和技术人员来说是一项基本技能。 一、晶体管在数字
达林顿晶体管概述和作用
达林顿晶体管(Darlington Transistor),或称达林顿对(Darlington Pair),是电子学中一种由两个(甚至多个)双极性晶体管(或其他类似的集成电路或分立元件)组成的复合
基于铁电晶体管科研,共探集成电路的创新之路
局限性,这促使学术界和产业界开始探索新的计算架构和信息器件。在后摩尔时代,铁电晶体管(FeFET)作为一种新型的信息器件,因其在存储和计算领域的潜在应用而备受关注。 泰克科技 与 北京大学集成电路学院唐克超课题组 联合举办

单片集成电路和混合集成电路的区别
设计、制造、应用和性能方面有着显著的差异。 单片集成电路(IC) 定义 单片集成电路是指在一个单一的半导体芯片(如硅片)上集成了多个电子元件(如晶体管、电阻、
CMOS晶体管的工作原理和结构
CMOS晶体管,全称为互补金属氧化物半导体晶体管,是现代电子设备中不可或缺的组成部分,尤其在计算机处理器和集成电路制造中扮演着核心角色。
评论