基于NP60P012D3的12V p通道增强模式MOSFET
描述
NP60P012D3采用了先进的战壕提供优良的RDS(ON)和低栅极技术电荷。它可以用于各种各样的应用。
一般特征
- VDS = -12v, id = -60a
RDS(上)(Typ) = 4.8Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 6.3Ω@VGS = -2.5 v
- 高密度电池设计超低Rdson
- 充分描述雪崩电压和电流
- 稳定性好，均匀性好，EAS高
- 优秀的包装，良好的散热
- 高ESD能力的特殊工艺技术
- 100% ui测试
- 应用程序
- 汽车应用程序
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源包
- PDFN3.3 8 * 3.3 l
电特性(除非另有说明，TA=25℃)
注:1:东亚峰会测试:VDD = 8 v, RG = 25欧姆,L = 500哦
2:脉冲测试;脉冲宽度≦300ns，占空比≦2%。
3:设计保证，不经生产检验。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
单片机
+关注
关注
6070文章
45110浏览量
654317 -
MOSFET
+关注
关注
150文章
8779浏览量
222025
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
NP90P012D6 12V p通道增强模式MOSFET概述
NP90P012D6采用了先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)，本设备适用于用作负载开关或PWM应用。
NP40P012D3 12V p通道增强模式MOSFET
描述 NP40P012D3采用先进的战壕提供优良的RDS(ON)和低栅极技术电荷。它可以用于各种各样的应用。 一般特征 ?VDS = -12v, id = -40a RDS(上)(Typ
NP1216DR 12V p通道增强模式MOSFET
描述 NP1216DR采用了先进的沟槽技术 提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和 工作电压低至1.8V。这 该器件适用于作为负载开关或PWM 应用程序。 一般特征 ?VDS = -12v, id
NP60P02D6 20V p通道增强模式MOSFET
描述 NP60P02D6采用了先进的沟槽技术 提供优良的RDS(ON)，本设备适用于 用作负载开关或PWM应用。 一般特征 ?VDS = -20v id = -60a RDS(上)(Typ
NP60P02G 20V p通道增强模式MOSFET
描述 NP60P02G采用了先进的沟槽技术 提供卓越的RDS(ON) 一般特征 较低的门 电荷。它可以用于各种各样的应用。 ?VDS = -20v id R = -60 DS(上)(Typ
HAT1093C 数据表(-12V -3A Silicon P Channel MOSFET / Power Switching)
HAT1093C 数据表 (-12V -3A Silicon P Channel MOSFET / Power Switching)
发表于 03-30 18:57
?0次下载
HAT1093C 数据表(-12V -3A Silicon P Channel MOSFET / Power Switching)
HAT1093C 数据表 (-12V -3A Silicon P Channel MOSFET / Power Switching)
发表于 07-12 20:31
?0次下载
60 V，P沟道沟槽MOSFET BUK9D120-60P数据手册
电子发烧友网站提供《60 V，P沟道沟槽MOSFET BUK9D120-60P数据手册.pdf》资料免费下载
发表于 02-20 10:02
?0次下载
工商网监
评论