NP60P02G 20V p通道增强模式MOSFET
描述
NP60P02G采用了先进的沟槽技术
提供卓越的RDS(ON)
一般特征
较低的门
电荷。它可以用于各种各样的应用。
?VDS = -20v id
R
= -60
DS(上)(Typ) = 4.8Ω@VGS
R
= -4.5 v
DS(上)(Typ) = 5.6Ω@VGS
?为超低R设计的高密度电池
= -2.5 v
?充分描述雪崩电压和电流
DS(上)
?稳定性好，均匀性好，E值高
?优秀的包装，良好的散热
作为
应用程序
?负荷开关
包
?- 252 - 2 - l
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
电特性(除非另有说明，TA=25℃)
注:1:脉冲测试;脉冲宽度≦300ns，占空比≦2%。
2:设计保证，不经生产检验。
热特性
审核编辑 黄昊宇
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