NP1216DR 12V p通道增强模式MOSFET
描述
NP1216DR采用了先进的沟槽技术
提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和
工作电压低至1.8V。这
该器件适用于作为负载开关或PWM
应用程序。
一般特征
?VDS = -12v, id = -16a
RDS(上)(Typ) = 11.7Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 16.2Ω@VGS = -2.5 v
?高功率和电流处理能力
?获得无铅产品
?表面安装包
应用程序
?PWM程序
?负荷开关
包
?DFN2 * 2-6L-B
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
热阻评级
注:
a.封装有限;b.表面安装在1“x 1”FR4板上
C . t = 5 s; d.稳态条件下最大为80°C/W
电特性(除非另有说明，TA=25℃)
如有需要，请联系我们。
审核编辑 黄昊宇
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
单片机
+关注
关注
6070文章
45115浏览量
654465 -
MOSFET
+关注
关注
150文章
8787浏览量
222112
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
UCC14131-Q1 汽车类 1.5W、12V 至 15V VIN、12V 至 15V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔离式直流/直流模块数据手册
架构集成在一起，以实现高效率和极低辐射。它可以从 12V 稳压输入提供隔离的 12V 输出，用于驱动 GaN 和 Si MOSFET;以及来自 15V 稳压输入的隔离式 15
CSD23285F5 -12V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、单个 LGA 0.8mm x 1.5mm、35mOhm、栅极 ESD 保护技术手册
这种 29mΩ、–12V、P 沟道 FemtoFET? MOSFET 技术经过设计和优化，可在许多手持式和移动应用中最大限度地减小占用空间。该技术能够取代标准小信号 MOSFET，同时
CSD13380F3 12V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、单个 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、栅极 ESD 保护技术手册
这款 63mΩ、12V N 沟道 FemtoFET? MOSFET 经过设计和优化，可在许多手持式和移动应用中最大限度地减少占用空间。该技术能够取代标准小信号 MOSFET，同时大幅减小基底面尺寸。
SL4011芯片的单节锂电池升压方案：3.7V-4.2V升5V/9V/12V输出
效率约87%
轻载（50mA）效率仍保持82%以上
3. 12V输出方案（LED驱动/工业传感器）
应用场景?：LED灯条、12V微型电机
关键设计?：
MOSFET选择?：内置同步整流管耐压需高于
发表于 03-27 17:13
12V电源设计防护电路详解
一般的产品用的都是直流电源，像手持产品多是5V电源，一些小设备也是5V，大一些的设备12V的稍多一些，车载电子产品有12V和24V两种电源。
LT8818EFXT 12V共漏双通道N沟道MOSFET规格书
电子发烧友网站提供《LT8818EFXT 12V共漏双通道N沟道MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
发表于 03-25 17:40
?0次下载
LT40P150FJC P沟道增强型功率MOSFET规格书
电子发烧友网站提供《LT40P150FJC P沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
发表于 03-07 11:28
?0次下载
LT2002DNB双通道N沟道增强型功率MOSFET规格书
电子发烧友网站提供《LT2002DNB双通道N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
发表于 03-05 16:53
?1次下载
LTS4842FP双通道N沟道增强型功率MOSFET规格书
电子发烧友网站提供《LTS4842FP双通道N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
发表于 02-27 18:16
?0次下载
12V/24V输入多通道解决方案
之前我们介绍了MCU/SoC/FPGA等集成电路的3.3V和5V电源配置示例，这期我们将介绍12V/24V输入配置示例。
线路漏电检测仪12v驱动板原理
线路漏电检测仪是一种用于检测电路中是否存在漏电现象的仪器，广泛应用于电力系统、工业自动化、建筑电气等领域。12V驱动板是线路漏电检测仪中的一个重要组成部分，它负责为检测仪提供稳定的12V直流电源，并
工商网监
评论