CSD13380F3 12V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、单个 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、栅极 ESD 保护技术手册

这款 63mΩ、12V N 沟道 FemtoFET? MOSFET 经过设计和优化，可在许多手持式和移动应用中最大限度地减少占用空间。该技术能够取代标准小信号 MOSFET，同时大幅减小基底面尺寸。
*附件：CSD13380F3 12V N 沟道 FemtoFET MOSFET 数据表.pdf

特性

• 低导通电阻
• 超低 Qg和 QGD
• 高工作漏电流
• 超小尺寸
  • 0.73 毫米 × 0.64 毫米
• 低调
  • 最大高度 0.36 mm
• 集成 ESD 保护二极管
  • 额定 > 3 kV HBM
  • 额定> 2 kV CDM
• 无铅和无卤素
• 符合 RoHS 规范

参数

1. 产品特性

• ?超低导通电阻?：在V_GS = 4.5V时，R_DS(on)仅为63 mΩ。
• ?超低栅极电荷?：总栅极电荷Q_g为0.91 nC，栅极到漏极电荷Q_gd为0.15 nC，有助于减少开关损耗。
• ?高工作漏极电流?：连续漏极电流I_D为3.6A，脉冲漏极电流I_DM可达13.5A。
• ?超小封装?：0.73 mm × 0.64 mm的LGA封装，最大高度仅0.36 mm。
• ?集成ESD保护二极管?：人体模型（HBM）额定值>3 kV，充电器件模型（CDM）额定值>2 kV。
• ?环保合规?：无铅、无卤素，符合RoHS标准。

2. 应用领域

• ?负载开关应用?：适用于需要快速开关和低损耗的场景。
• ?通用开关应用?：广泛适用于各种电子设备中的开关电路。
• ?电池应用?：适用于电池管理系统中的开关和保护电路。
• ?手持和移动设备?：由于其超小封装和低功耗特性，非常适合手持和移动设备。

3. 产品描述

CSD13380F3是一款63 mΩ、12V N沟道FemtoFET? MOSFET，专为最小化手持和移动设备中的占板面积而设计。该器件采用先进的工艺技术，能够替换标准的小信号MOSFET，同时显著减小封装尺寸。

4. 电气特性

• ?静态特性?：包括漏源击穿电压BV_DSS、漏源泄漏电流I_DSS、栅源泄漏电流I_GSS、阈值电压V_GS(th)等。
• ?动态特性?：涵盖输入电容C_iss、输出电容C_oss、反向传输电容C_rss、栅极电阻R_G、栅极电荷Q_g等，这些参数影响开关速度和效率。
• ?二极管特性?：包括体二极管正向电压V_SD和反向恢复电荷Q_rr，对整流和续流应用至关重要。

5. 热信息

• ?热阻?：提供了两种条件下的结到环境热阻R_θJA，分别为90°C/W（最大铜面积）和255°C/W（最小铜面积），帮助用户设计有效的散热方案。

6. 封装和订购信息

• ?封装类型?：0.73 mm × 0.64 mm的LGA封装。
• ?订购选项?：提供不同卷带长度的订购选项，如3000个/卷带和250个/卷带。

7. 文档和支持

• ?文档更新通知?：用户可通过TI官网注册接收产品文档的更新通知。
• ?商标声明?：FemtoFET?是德州仪器（Texas Instruments）的商标。