NP90P012D6 12V p通道增强模式MOSFET概述
描述
NP90P012D6采用了先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)，本设备适用于用作负载开关或PWM应用。
一般特征
?VDS = -12v id = -90a
RDS(上)(Typ) = 3.9Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 5.1Ω@VGS = -2.5 v
?高功率和电流处理能力
?获得无铅产品
?表面安装包
?150℃的工作温度
?100% ui测试
应用程序
?PWM程序
?负荷开关
?不间断电源包
?PDFN5 * 6-8L-A
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
工作结温范围Tj -55-150℃
电特性(除非另有说明，TA=25℃)
热特性
答:R qJA是用设备安装在1in 2 FR-4单板上2oz测量的。铜，在静止的空气环境中T = 25°C。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。目前的评级是基于t≤10s热阻额定值。
B: R qJA是从结到引线R qJL和引线到环境的热阻抗之和
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