在半导体材料领域,碳化硅(SiC)因其卓越的电导性、热稳定性和化学稳定性而成为制作高功率和高频电子器件的理想材料。然而,为了实现这些器件的高性能,必须对SiC进行精细的表面处理。化学机械抛光(CMP
发表于 08-05 17:55
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一、CMP工艺与抛光材料的核心价值化学机械抛光(ChemicalMechanicalPlanarization,CMP)是半导体制造中实现晶圆表面全局平坦化的关键工艺,通过“
发表于 07-05 06:22
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化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, 简称 CMP)技术是一种依靠化学和机械的协同作用实现工件表面材料去除的超精密加工技术。下图是一个典型的 CMP 系统示意图:
发表于 07-03 15:12
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(CMP)DSTlslurry断供:物管通知受台湾出口管制限制,Fab1DSTSlury(料号:M2701505,AGC-TW)暂停供货,存货仅剩5个月用量(267桶)。DSTlslurry?是一种用于半导体制造过程中的抛光液,主要用于化学机械抛光(CMP)
发表于 07-02 06:38
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铜互连工艺是一种在集成电路制造中用于连接不同层电路的金属互连技术,其核心在于通过“大马士革”(Damascene)工艺实现铜的嵌入式填充。该工艺的基本原理是:在绝缘层上先蚀刻出沟槽或通孔,然后在沟槽或通孔中沉积铜,并通过
发表于 06-16 16:02
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化学机械抛光液是化学机械抛光(CMP)工艺中关键的功能性耗材,其本质是一个多组分的液体复合体系,在抛光过程中同时起到化学反应与
发表于 05-14 17:05
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EBSD样品制备EBSD样品的制备过程对实验结果的准确性和可靠性有着极为重要的影响。目前,常用的EBSD样品制备方法包括机械抛光、电解抛光和聚焦离子束(FIB)等,但这些方法各有其局限性。1.
发表于 03-03 15:48
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但随着技术迭代,晶体管尺寸持续缩减,电阻电容(RC)延迟已成为制约集成电路性能的关键因素。在90纳米及以下工艺节点,铜开始作为金属互联材料取代铝,同时采用低介电常数材料作为介质层,这一转变主要依赖于铜大马士革工艺(包括单镶嵌与双镶嵌)与
发表于 02-07 09:39
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。这一精密而复杂的流程主要包括以下几个工艺过程:晶圆制造工艺、热工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、离子注入工艺
发表于 01-08 11:48
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具有高增益和高输出功率的硅基混合III-V半导体光放大器在许多应用中非常重要,如光收发器、集成微波光子学和光子波束成形。
发表于 12-30 16:15
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在半导体制造这一高度精细且复杂的领域里,CMP(化学机械抛光)技术就像是一颗默默闪耀在后台的璀璨宝石,尽管不为普通大众所知晓,但在芯片制造的整个流程中,它却是不可或缺的重要一环。今天,让我们共同深入
发表于 12-20 09:50
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,光刻工艺,蚀刻工艺,离子注入工艺,化学机械抛光,清洗工艺,晶圆检验工艺。
后道工序包括组装
发表于 12-16 23:35
引起的变形问题。
化学机械抛光(CMP)技术:
CMP技术结合了化学腐蚀和机械研磨的双重作用,可以在晶圆表面形成一层化学反应层,并通过机械研
发表于 12-10 09:55
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机械抛光是一种通过物理或化学作用改善材料表面粗糙度和光泽度的过程。这个过程通常用于金属、塑料、玻璃和其他材料的表面处理。机械抛光设备和辅助品的选择取决于材料类型、抛光目的和预期的表面质
发表于 09-11 15:43
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机械抛光和电解抛光是两种常见的金属表面处理技术,它们在工业制造、精密工程、医疗器械、汽车制造、航空航天等领域有着广泛的应用。这两种技术各有特点和优势,适用于不同的材料和场合。下面将介绍这两种抛光技术
发表于 09-11 15:40
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