型号：30N10-VB
丝印：VBE1104N
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：100V
- 额定电流：40A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：1.8V
- 封装类型：TO252
应用简介：
30N10-VB是一款N沟道场效应晶体管（FET），具有高电压和高电流特性。它适用于需要高性能电流控制的电子应用。TO252封装适合各种电路设计。
应用领域：
1. 电源开关模块：30N10-VB可用于电源开关电路，如开关稳压器、DC-DC转换器和功率放大器，以实现高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. 电机控制：在电机驱动电路和电机控制器中，这款晶体管可用于电机的启停、速度调节和效能提升。
3. 电源因数校正：在电源因数校正电路中，30N10-VB可用于改善电源因数，降低谐波失真。
4. 电路保护：在电路保护器件中，这款N沟道场效应晶体管可用于过电流保护、短路保护和电压保护，确保电路的安全运行。
总之，30N10-VB是一款适用于高电压和高电流电子应用的N沟道场效应晶体管，适用于电源管理、电机控制、电源因数校正和电路保护等领域。其TO252封装使其适用于各种电路设计。
