**产品简介：**
IPW60R190C6-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用超结（SJ）多重外延（Multi-EPI）技术，封装为TO247。它设计用于高压高效应用，具有650V的漏源极电压（VDS）和±30V的栅源极电压（VGS），确保了稳定的高压操作。其开启电压（Vth）为3.5V，导通电阻（RDS(ON)）为160mΩ（@VGS=10V），最大漏极电流（ID）为20A。IPW60R190C6-VB 适用于需要高效开关和高压管理的电源和工业应用中，尤其适合逆变器和电源转换器等场景。
**详细参数说明：**
- **封装类型**：TO247
- **沟道类型**：单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：650V
- **栅源极电压 (VGS)**：±30V
- **开启电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：160mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**：20A
- **技术类型**：超结（SJ）+ 多重外延（Multi-EPI）技术
- **工作温度范围**：-55°C 至 150°C
- **功率耗散 (PD)**：适合高功率应用场景
- **开关频率**：适应高频操作
**应用领域与模块示例：**
1. **工业电源转换器**：IPW60R190C6-VB 的650V高耐压和低导通电阻，使其在工业电源转换器中，如AC-DC或DC-DC转换器中表现出色。它能确保系统在高电压下稳定工作，同时降低功率损耗，从而提升系统整体效率。
2. **开关模式电源 (SMPS)**：在开关模式电源中，MOSFET 是主要的开关元件。IPW60R190C6-VB 能提供高效的开关特性，适合用于高压SMPS电源中，如通信设备电源、工业控制电源和服务器电源。
3. **光伏逆变器**：在太阳能光伏系统中，该MOSFET 可用于逆变器部分，通过高效能的开关操作，将直流电转换为交流电，确保系统高效能和稳定性，尤其适合处理高电压的应用场景。
4. **电机驱动器**：IPW60R190C6-VB 适用于高压电机驱动器中，尤其在工业或家用电机控制系统中，能够处理较高电压并提供可靠的电流控制，确保电机稳定、高效的工作。
5. **电动汽车充电系统**：在电动汽车充电系统中，MOSFET 通常用于高压直流充电部分，IPW60R190C6-VB 的高电压处理能力和良好的开关性能能够提高充电效率，减少热损耗并提高安全性。
这些应用展示了IPW60R190C6-VB 在高效电源管理和控制模块中的广泛适用性，尤其是在需要高压处理和开关效率的工业、能源和电动系统领域中。