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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IPW60R299CP-VB一款TO247封装N-Channel场效应MOS管

型号: IPW60R299CP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 300mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IPW60R299CP-VB 产品简介

IPW60R299CP-VB 是一款单通道 N 型 MOSFET,采用 TO247 封装,专为高电压和高功率应用设计。其漏源极电压 (VDS) 高达 650V,能够在高电压环境下稳定工作。栅源极电压 (VGS) 额定为 ±30V,开启电压 (Vth) 为 3.5V,使其在低栅极电压下能够有效开关。该 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS 为 10V 时为 300mΩ,最大漏极电流 (ID) 为 15A。采用 SJ_Multi-EPI 技术,这款 MOSFET 提供了优异的开关性能和功率密度,适用于需要高电压和中等电流的场合。

### 二、IPW60R299CP-VB 详细参数说明

1. **封装类型**:TO247
2. **配置**:单通道 N 型 MOSFET
3. **漏源极电压 (VDS)**:650V
4. **栅源极电压 (VGS)**:±30V
5. **开启电压 (Vth)**:3.5V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
  - 300mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏极电流 (ID)**:15A
8. **技术类型**:SJ_Multi-EPI 技术
9. **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
10. **热阻**:典型值 1.5°C/W (结到壳)
11. **功率耗散**:110W
12. **开关速度**:具有较好的开关性能,适合高频应用
13. **封装尺寸**:TO247 封装,适合高功率散热和安装需求

### 三、应用领域和模块示例

1. **开关电源 (SMPS)**:IPW60R299CP-VB 在高电压开关电源中适用,尤其是在工业电源和高功率变换器中。其高电压承受能力和适中的导通电阻确保了高效能的电力转换,广泛应用于需要稳定电力供应的设备,如电源适配器和电力转换模块。

2. **太阳能逆变器**:该 MOSFET 在太阳能光伏逆变器中也有重要应用。其高电压和中等电流处理能力使其能够有效地处理太阳能发电系统中的电力转换需求,同时其良好的开关性能有助于提高系统的整体效率。

3. **电动汽车充电器**:IPW60R299CP-VB 可以用于电动汽车充电器中,处理充电过程中的高电压需求。它能够在充电过程中提供可靠的电流,并保持高效率,适合用于快速充电器和高功率充电系统。

4. **高压 DC-DC 转换器**:在高压 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 的高电压承受能力和适中的导通电阻确保了电能的有效转换。适用于高压电力电子设备,如通信基站电源和工业控制系统中的电压转换模块。

5. **电机驱动系统**:IPW60R299CP-VB 也适用于高电压电机驱动系统。在驱动大功率电机时,该 MOSFET 能够提供必要的电流并维持系统的高效率,常用于工业电机控制和电动工具等应用。

IPW60R299CP-VB 作为一款高电压、中电流的 MOSFET,适合于开关电源、太阳能逆变器、电动汽车充电器、高压 DC-DC 转换器以及电机驱动系统等高功率密度和高效率需求的应用。其 SJ_Multi-EPI 技术确保了优异的开关性能和稳定性,适用于多种严苛环境下的电力电子系统。

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