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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IPW60R280C6-VB一款TO247封装N-Channel场效应MOS管

型号: IPW60R280C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 300mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IPW60R280C6-VB 产品简介

IPW60R280C6-VB 是一款高压单N沟道MOSFET,封装形式为TO247,适用于各种高电压和高效率应用。其650V的击穿电压、300mΩ的导通电阻以及15A的漏极电流,使其能够在高压环境下有效地控制大电流。该产品采用了超级结(SJ)和多重外延(Multi-EPI)技术,能够显著降低开关损耗,同时提升系统的效率。它广泛应用于电源管理、逆变器、电机控制等高性能电力设备中。

### 二、IPW60R280C6-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TO247
- **配置**:单N沟道
- **击穿电压 (VDS)**:650V
- **栅极驱动电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:300mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:15A
- **技术**:超级结(SJ)多重外延(Multi-EPI)
- **功耗 (Ptot)**:125W
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **开关速度**:快速开关能力
- **封装引脚数**:3引脚

### 三、应用领域和模块

1. **高效开关电源(SMPS)**:IPW60R280C6-VB 适用于需要高电压和高效率的开关电源系统,如服务器电源和通信设备电源。其650V的高耐压和低开关损耗特性,使其在高压电源设计中发挥关键作用,确保能量损耗最小化,并实现稳健的电源管理。

2. **太阳能逆变器**:该MOSFET 在太阳能逆变器应用中具有重要作用。其高电压和较低的导通电阻,使其能够有效处理光伏系统中的高电压输入,确保电能的高效逆变,并为家庭和工业光伏系统提供稳定的电力输出。

3. **工业电机驱动**:IPW60R280C6-VB 在工业电机驱动应用中表现出色。它能够处理电机控制过程中所需的高电流和高压,适用于大功率电机的驱动系统,并确保工业设备的平稳运行和高效控制。

4. **不间断电源(UPS)**:在UPS系统中,该MOSFET 可以通过其高电压处理能力和较低的导通损耗,确保电力中断时稳定地提供备用电力,确保关键系统的持续运行。

5. **高压电池管理系统(BMS)**:该MOSFET 在电池管理系统中有助于高效地管理电池的充电和放电过程,尤其是在高压电池系统中。它可以为电池组提供可靠的电源管理,延长电池寿命并提升系统性能。

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