--- 产品参数 ---
- Package TO247
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 900V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 750mΩ@VGS=10V
- ID 9A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### IPW90R800C3-VB 产品简介
**IPW90R800C3-VB** 是一款高电压耐受性 MOSFET,采用 TO247 封装,适用于需要高耐压和高耐流的应用场景。该 MOSFET 是单极 N 通道型,适合用于高压开关和功率转换应用。其 SJ_Multi-EPI 技术提供了良好的导通电阻和开关性能,适合高功率和高频率的使用环境。
### 详细参数说明
- **型号**: IPW90R800C3-VB
- **封装**: TO247
- **配置**: 单极 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 900V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 750mΩ (VGS=10V)
- **最大漏极电流 (ID)**: 9A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域及模块示例
**1. 高压电源转换器**
在高压电源转换器中,IPW90R800C3-VB 的高耐压特性使其适用于直流-直流转换器和逆变器,这些应用通常需要处理高电压和高功率。其较低的导通电阻帮助提高系统效率,并减少功耗和热量。
**2. 工业电机驱动**
该 MOSFET 可以用于工业电机驱动模块中,其高漏极电压和高电流承受能力使其适合于控制大型电机的启动和运行。其高电压耐受性确保在电机驱动过程中对电源波动有较好的适应性。
**3. 电力因数校正(PFC)电路**
在电力因数校正电路中,IPW90R800C3-VB 的高耐压和低导通电阻特性可以提高电路的稳定性和效率。这种 MOSFET 能够在高电压和高频率条件下工作,确保 PFC 电路能够高效地提升电源质量。
**4. 高频开关电源**
由于其较低的导通电阻和较高的耐压值,该 MOSFET 非常适合用于高频开关电源应用,例如用于计算机电源和通信设备中。这些应用要求 MOSFET 在高频率下仍能保持稳定的性能和低的能量损耗。
这些应用示例展示了 IPW90R800C3-VB 在不同领域中的广泛适用性和重要性,尤其是在需要高电压和高电流的环境下。
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