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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IPW90R340C3-VB一款TO247封装N-Channel场效应MOS管

型号: IPW90R340C3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 900V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 205mΩ@VGS=10V
  • ID 20A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IPW90R340C3-VB 产品简介
IPW90R340C3-VB 是一款高电压N沟道MOSFET,封装形式为TO247。这款MOSFET 设计用于需要高电压和高功率处理的应用,具有900V的漏源极电压(VDS)和30V的栅源极电压(VGS)。其导通电阻为205mΩ(在VGS=10V时),最大漏极电流为20A。采用SJ(超结)多重外延技术(SJ_Multi-EPI),该MOSFET 能够在高电压环境下提供良好的开关性能和可靠性,同时减少功率损耗。适用于高压电源系统、工业电力模块以及电力逆变器等应用。

### IPW90R340C3-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO247
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:900V
- **栅源极电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:205mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:20A
- **技术类型**:SJ_Multi-EPI 超结多重外延技术
- **其他特点**:
 - 高电压耐受能力,适合高电压应用
 - 较低的导通电阻,有助于降低功率损耗
 - 高电流处理能力,满足高功率应用需求
 - 优良的热性能和高开关效率

### 应用领域和模块举例
1. **高压电源转换器**:IPW90R340C3-VB 适用于高压DC-DC转换器和AC-DC转换器。这款MOSFET 能够处理高达900V的电压输入,同时其导通电阻帮助降低能量损耗,提升电源转换效率。

2. **工业电力模块**:在工业电力管理和调节模块中,这款MOSFET 提供了高电流和高电压的处理能力,非常适合用于高压开关和功率调节模块,确保在工业设备中稳定和高效地工作。

3. **电动汽车充电器**:在电动汽车充电器中,IPW90R340C3-VB 可以处理高电压和大电流的充电过程。其900V的耐压能力和较低的导通电阻确保了高效的充电和放电性能,提高充电效率并降低损耗。

4. **电力逆变器**:这款MOSFET 也适用于电力逆变器,如太阳能逆变器和风能逆变器。其高电压和高电流处理能力使其能够有效转换和管理大规模的电力输出,支持可再生能源系统中的高效电力转换。

IPW90R340C3-VB 凭借其高电压耐受能力和较低的导通电阻,适用于各种高电压和高功率应用,确保在严苛条件下的可靠性和高效性。

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