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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IPW65R310CFD-VB一款TO247封装N-Channel场效应MOS管

型号: IPW65R310CFD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 700V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 210mΩ@VGS=10V
  • ID 20A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、产品简介:

IPW65R310CFD-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET,封装为 TO247,专为高电压和高功率应用设计。这款 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技术,具备 700V 的漏源电压 (VDS) 和 20A 的漏极电流 (ID),确保在高负载条件下稳定运行。其在 VGS=10V 时的导通电阻 (RDS(ON)) 为 210mΩ,适合需要中等导通电阻和高耐压的应用场景。栅源电压 (VGS) 范围为 ±30V,提供了广泛的控制电压适应性。IPW65R310CFD-VB 适合于高压开关电源、工业电源模块以及高功率应用中的高压开关和电源转换器。

### 二、详细参数说明:

1. **封装类型**:TO247  
2. **沟道类型**:单一 N 沟道  
3. **VDS(漏源电压)**:700V  
4. **VGS(栅源电压)**:±30V  
5. **Vth(阈值电压)**:3.5V  
6. **RDS(ON)(导通电阻)**:210mΩ @ VGS = 10V  
7. **ID(漏极电流)**:20A  
8. **技术**:SJ_Multi-EPI 技术  
9. **Qg(总栅电荷)**:250 nC  
10. **热阻**:Rth(j-c) = 0.62°C/W  
11. **导通延迟时间**:120 ns  
12. **上升时间**:150 ns  
13. **关断延迟时间**:100 ns  
14. **下降时间**:90 ns  
15. **工作温度范围**:-55°C 至 150°C  
16. **Ptot(最大功耗)**:250W  

### 三、适用领域和模块举例:

1. **高压开关电源**:IPW65R310CFD-VB 适用于高压开关电源中的开关控制部分,其 700V 的高漏源电压和适中的导通电阻使其能够在高压输入条件下高效运行,提供可靠的电源转换性能。

2. **工业电源管理系统**:在工业电源管理模块中,这款 MOSFET 可以处理高电压和中等电流需求,适用于高压电源的开关和控制,确保系统的稳定性和效率。

3. **光伏逆变器**:用于光伏逆变器中,IPW65R310CFD-VB 可以高效地处理光伏面板输出的高电压,将直流电转换为交流电。其高耐压和可靠的开关性能提高了逆变器的整体效率和稳定性。

4. **电动汽车充电设备**:在电动汽车充电设备中,IPW65R310CFD-VB 可以用于高压转换模块,适合于快速充电桩和电动汽车充电系统中的高电压控制,确保充电过程的高效和安全。

5. **高压功率放大器**:在高压功率放大器应用中,这款 MOSFET 能够处理高电压信号,适合用于 RF 功率放大和信号处理,提供低损耗和高效能量转换。

6. **电机驱动器**:IPW65R310CFD-VB 还适用于高功率电机驱动器中,提供高电压开关控制,确保电机在高负载条件下的高效运行和精确控制。

总之,IPW65R310CFD-VB 是一款适用于高压、高功率应用的 MOSFET,广泛应用于高压开关电源、逆变器、电动汽车充电设备等领域,提供可靠的开关性能和高效的能量转换。

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