**一、产品简介：**
IPP111N15N3 G-VB 是一款采用 TO220 封装的单 N 沟道 MOSFET，专为高电压和大电流应用设计。其额定漏源电压 (VDS) 为 150V，允许的栅极电压 (VGS) 为 ±20V，使其适合在要求高电压和高电流的电源管理系统中使用。这款 MOSFET 采用先进的沟槽（Trench）技术，具有低导通电阻 (RDS(ON)) 和大漏极电流 (ID) 的特性，确保在高功率应用中表现优越，特别是在需要高效率和高可靠性的场合。
**二、详细参数说明：**
- **封装类型**：TO220
- **配置**：单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：150V
- **栅极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：8.5mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：100A
- **技术**：沟槽（Trench）技术
**三、适用领域和模块：**
1. **高功率开关电源**：IPP111N15N3 G-VB 适用于高功率开关电源（SMPS）中的开关元件。其高漏源电压和低导通电阻使其能够有效管理高功率电流，适合用于高效率电源转换和稳压模块，提升电源系统的整体性能。
2. **电机驱动器**：在电机驱动系统中，该 MOSFET 可以作为高效的开关元件，提供稳定的电流驱动能力，适合用于工业电机控制、伺服驱动系统以及电动汽车中的电机控制模块。
3. **电池管理系统**：该 MOSFET 在电池管理系统（BMS）中可用于高效的电流开关和电池保护。其高电压承受能力和低 RDS(ON) 特性使其能够处理高功率电池放电和充电过程中的大电流。
4. **电力转换器**：在电力转换器（如逆变器和升降压转换器）中，IPP111N15N3 G-VB 能够在高电压和大电流的环境下工作，适合用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统等需要高功率转换的应用场景。
5. **工业电源控制**：由于其优越的电流处理能力和电压稳定性，这款 MOSFET 适合用于各种工业电源控制模块，包括电力供应系统中的保护电路、负载开关和电源调节模块，确保系统在高负载情况下的可靠运行。