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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IPP110N20NA-VB一款TO220封装N-Channel场效应MOS管

型号: IPP110N20NA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 4V
  • RDS(ON) 7.6mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、产品简介(IPP110N20NA-VB)

IPP110N20NA-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,封装为 TO-220。这款 MOSFET 专为高电压和大电流应用而设计,具有 200V 的击穿电压和 100A 的最大连续漏极电流。采用 Trench 技术,使其在低导通电阻下具有高效的电流处理能力。适用于需要高耐压、高电流处理能力和低导通损耗的应用场合。

### 二、详细参数说明

- **封装**:TO-220  
- **配置**:单 N 沟道  
- **击穿电压 VDS**:200V  
- **栅源电压 VGS**:±20V  
- **开启电压 Vth**:4V  
- **导通电阻 RDS(ON)**:7.6mΩ@VGS = 10V  
- **最大连续漏极电流 ID**:100A  
- **技术**:Trench 技术  

### 三、应用领域和模块举例

1. **高电压电源管理**:在高电压电源管理系统中,IPP110N20NA-VB 可以用于高电压 DC-DC 转换器。其高击穿电压和低导通电阻使其能够有效处理高电压和大电流,从而提高系统的功率转换效率和稳定性。

2. **电动汽车**:在电动汽车的动力系统中,这款 MOSFET 可用于电机驱动控制和电池管理系统。其高电流处理能力和耐高电压的特性使其能够承受电动汽车中高功率应用的要求,提高系统的可靠性和安全性。

3. **工业电源**:在工业电源系统中,特别是在高功率的电源逆变器和不间断电源 (UPS) 系统中,IPP110N20NA-VB 可以用于高电压开关和功率调节。这种高耐压和低导通电阻的 MOSFET 确保了高效的功率转换和稳定的电源输出。

4. **电力转换设备**:在电力转换设备如焊接机、充电器等高功率应用中,该 MOSFET 的高电流和高电压能力确保了设备的高效工作。其低导通电阻减少了功率损耗,提升了设备的整体性能和可靠性。

5. **大功率电机驱动**:用于驱动大功率电机的电路中,IPP110N20NA-VB 提供了稳定的电流控制和高效的功率传输,适合工业自动化设备中的高功率电机控制系统。

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