### 一、产品简介
IPP110N20N3 G-VB 是一款高电压、高电流承载能力的单N沟道MOSFET，采用TO220封装。它的最大漏源电压高达200V，使其适合用于需要高电压控制的应用场景。该MOSFET的阈值电压为4V，导通电阻在VGS=10V时为7.6mΩ，确保了在高电流条件下仍能保持低功耗和高效率。其额定漏极电流高达100A，能够满足要求高电流处理的各种应用需求。IPP110N20N3 G-VB 使用先进的沟槽技术（Trench），具有优良的开关性能和热管理能力。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **最大漏源电压（VDS）**：200V
- **最大栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：4V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- VGS=10V 时为 7.6mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：100A
- **技术类型**：沟槽MOSFET（Trench）
- **工作温度范围**：-55°C 至 +175°C
- **封装引脚配置**：3引脚（Drain、Gate、Source）
### 三、适用领域与模块示例
1. **高功率开关电源（SMPS）**：IPP110N20N3 G-VB 非常适合用于高功率开关电源中。其高电压耐受能力和低导通电阻使其能够高效地处理大电流，同时减少开关损耗，从而提高电源的整体效率和可靠性。
2. **电动汽车（EV）电源管理**：在电动汽车的电源管理系统中，这款MOSFET能够处理高电压和高电流的需求，非常适合用于电池管理系统和电动驱动系统中，能够有效地控制电流流向并提高系统的稳定性。
3. **工业电机驱动**：IPP110N20N3 G-VB 可应用于各种工业电机驱动系统中，如大功率电机控制和驱动器。它的高电流处理能力和低导通电阻确保了电机运行的高效性和耐用性，特别是在重载或高电压环境下。
4. **逆变器**：在太阳能逆变器或其他逆变器系统中，IPP110N20N3 G-VB 的高电压和电流能力非常适合处理转换过程中所需的大功率负载，能够有效地转换和调节电能，提高系统的整体性能。
5. **UPS（不间断电源）系统**：这款MOSFET 也适用于UPS系统中，其高额定电流和低导通电阻有助于提供稳定的电源保护，确保在电力中断时系统能够迅速响应并稳定供电。